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铜陵市(枞阳县、郊区、铜官区、义安区)

通化市(通化县、集安市、二道江区、辉南县、东昌区、梅河口市、柳河县)

永州市(东安县、宁远县、江永县、双牌县、道县、祁阳市、蓝山县、冷水滩区、江华瑶族自治县、零陵区、新田县)

崇左市(天等县、宁明县、凭祥市、扶绥县、江州区、大新县、龙州县)  亳州市(蒙城县、利辛县、涡阳县、谯城区)

仙桃市(潜江市、天门市、神农架林区)

固原市(西吉县、原州区、泾源县、隆德县、彭阳县)

株洲市(攸县、醴陵市、天元区、石峰区、芦淞区、茶陵县、荷塘区、炎陵县、渌口区)

宝鸡市(凤县、渭滨区、千阳县、麟游县、陇县、金台区、岐山县、扶风县、太白县、凤翔区、陈仓区、眉县)  鹤壁市(鹤山区、淇滨区、浚县、淇县、山城区)

济南市(天桥区、章丘区、济阳区、历城区、长清区、莱芜区、槐荫区、历下区、平阴县、钢城区、商河县、市中区)

忻州市(原平市、五寨县、繁峙县、定襄县、保德县、河曲县、静乐县、偏关县、宁武县、岢岚县、五台县、忻府区、代县、神池县)

濮阳市(范县、台前县、华龙区、濮阳县、南乐县、清丰县)

白城市(镇赉县、洮北区、通榆县、大安市、洮南市)

绵阳市(三台县、北川羌族自治县、安州区、游仙区、涪城区、平武县、梓潼县、盐亭县、江油市)

本溪市(溪湖区、平山区、南芬区、桓仁满族自治县、明山区、本溪满族自治县)

昌吉回族自治州(呼图壁县、吉木萨尔县、木垒哈萨克自治县、阜康市、昌吉市、奇台县、玛纳斯县)

香港特别行政区

宜宾市(长宁县、叙州区、高县、屏山县、南溪区、江安县、珙县、翠屏区、筠连县、兴文县)

西安市(新城区、阎良区、高陵区、周至县、雁塔区、莲湖区、蓝田县、鄠邑区、灞桥区、临潼区、碑林区、长安区、未央区)

周口市(西华县、鹿邑县、川汇区、郸城县、项城市、沈丘县、扶沟县、淮阳区、商水县、太康县)

茂名市(化州市、信宜市、高州市、电白区、茂南区)

咸宁市(通城县、嘉鱼县、咸安区、通山县、赤壁市、崇阳县)

石嘴山市(平罗县、大武口区、惠农区)

三沙市(西沙区、南沙区)

湛江市(廉江市、麻章区、坡头区、雷州市、吴川市、遂溪县、徐闻县、霞山区、赤坎区)

中卫市(中宁县、海原县、沙坡头区)

安康市(白河县、平利县、镇坪县、汉滨区、岚皋县、石泉县、旬阳市、汉阴县、宁陕县、紫阳县)

来宾市(金秀瑶族自治县、兴宾区、武宣县、象州县、忻城县、合山市)

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漳州市(南靖县、龙海区、平和县、长泰区、诏安县、芗城区、龙文区、漳浦县、云霄县、华安县、东山县)

临沧市(镇康县、凤庆县、耿马傣族佤族自治县、云县、双江拉祜族佤族布朗族傣族自治县、沧源佤族自治县、临翔区、永德县)

巴音郭楞蒙古自治州(和硕县、库尔勒市、且末县、焉耆回族自治县、若羌县、博湖县、尉犁县、轮台县、和静县)

舟山市(岱山县、普陀区、嵊泗县、定海区)  吉安市(吉州区、青原区、吉水县、新干县、井冈山市、吉安县、遂川县、峡江县、安福县、永新县、万安县、泰和县、永丰县)

锡林郭勒盟(镶黄旗、多伦县、西乌珠穆沁旗、二连浩特市、东乌珠穆沁旗、正镶白旗、苏尼特右旗、苏尼特左旗、阿巴嘎旗、太仆寺旗、正蓝旗、锡林浩特市)

中山市

怒江傈僳族自治州(兰坪白族普米族自治县、贡山独龙族怒族自治县、福贡县、泸水市)包头市(土默特右旗、青山区、昆都仑区、固阳县、东河区、九原区、白云鄂博矿区、石拐区、达尔罕茂明安联合旗)

绍兴市(柯桥区、越城区、上虞区、新昌县、嵊州市、诸暨市)  辽源市(东丰县、龙山区、西安区、东辽县)

乌海市(海南区、乌达区、海勃湾区)

大庆市(林甸县、让胡路区、萨尔图区、龙凤区、肇源县、杜尔伯特蒙古族自治县、大同区、红岗区、肇州县)

六盘水市(钟山区、盘州市、水城区、六枝特区)德宏傣族景颇族自治州(陇川县、芒市、盈江县、梁河县、瑞丽市)

兰州市(安宁区、城关区、红古区、西固区、皋兰县、七里河区、永登县、榆中县)

宜昌市(西陵区、长阳土家族自治县、宜都市、当阳市、兴山县、猇亭区、枝江市、秭归县、远安县、点军区、夷陵区、五峰土家族自治县、伍家岗区)

克拉玛依市(乌尔禾区、独山子区、白碱滩区、克拉玛依区)

五指山市(琼中黎族苗族自治县、定安县、保亭黎族苗族自治县、文昌市、屯昌县、白沙黎族自治县、澄迈县、临高县、昌江黎族自治县、陵水黎族自治县、东方市、乐东黎族自治县、万宁市、琼海市)

白银市(景泰县、平川区、靖远县、会宁县、白银区)

扬州市(高邮市、宝应县、广陵区、邗江区、仪征市、江都区)

那曲市(索县、班戈县、嘉黎县、比如县、巴青县、尼玛县、安多县、聂荣县、色尼区、申扎县、双湖县)

阳江市(阳春市、阳东区、阳西县、江城区)

苏州市(吴江区、相城区、昆山市、太仓市、虎丘区、吴中区、常熟市、姑苏区、张家港市)

抚顺市(东洲区、新抚区、新宾满族自治县、清原满族自治县、抚顺县、望花区、顺城区)

邯郸市(临漳县、馆陶县、鸡泽县、涉县、曲周县、成安县、武安市、肥乡区、魏县、邱县、邯山区、永年区、广平县、大名县、磁县、峰峰矿区、丛台区、复兴区)

平顶山市(卫东区、郏县、舞钢市、新华区、叶县、石龙区、湛河区、鲁山县、汝州市、宝丰县)

景德镇市(昌江区、浮梁县、乐平市、珠山区)

承德市(围场满族蒙古族自治县、承德县、滦平县、宽城满族自治县、鹰手营子矿区、双滦区、平泉市、隆化县、兴隆县、丰宁满族自治县、双桥区)

哈尔滨市(平房区、通河县、双城区、南岗区、松北区、方正县、宾县、香坊区、道外区、五常市、道里区、木兰县、尚志市、巴彦县、阿城区、延寿县、呼兰区、依兰县)

天津市(蓟州区、河东区、红桥区、滨海新区、宝坻区、东丽区、西青区、和平区、津南区、河北区、武清区、宁河区、北辰区、河西区、南开区、静海区)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。