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温州市(瑞安市、龙港市、龙湾区、乐清市、永嘉县、洞头区、平阳县、苍南县、泰顺县、文成县、瓯海区、鹿城区)

南宁市(上林县、马山县、邕宁区、武鸣区、江南区、宾阳县、兴宁区、隆安县、横州市、西乡塘区、青秀区、良庆区)

宁德市(霞浦县、屏南县、蕉城区、柘荣县、古田县、福安市、寿宁县、周宁县、福鼎市)

淮南市(凤台县、潘集区、大通区、寿县、八公山区、谢家集区、田家庵区)  濮阳市(南乐县、台前县、范县、华龙区、濮阳县、清丰县)

天津市(西青区、河东区、南开区、河北区、北辰区、宁河区、河西区、武清区、东丽区、蓟州区、红桥区、滨海新区、津南区、宝坻区、和平区、静海区)

咸阳市(乾县、三原县、永寿县、旬邑县、武功县、礼泉县、彬州市、秦都区、长武县、兴平市、淳化县、杨陵区、泾阳县、渭城区)

白城市(大安市、洮北区、洮南市、镇赉县、通榆县)眉山市(青神县、仁寿县、丹棱县、洪雅县、东坡区、彭山区)

四平市(梨树县、双辽市、铁东区、伊通满族自治县、铁西区)  池州市(青阳县、石台县、东至县、贵池区)

本溪市(本溪满族自治县、平山区、南芬区、明山区、桓仁满族自治县、溪湖区)

阳泉市(郊区、盂县、城区、平定县、矿区)

湛江市(廉江市、雷州市、吴川市、徐闻县、霞山区、赤坎区、遂溪县、麻章区、坡头区)

玉溪市(红塔区、易门县、通海县、华宁县、新平彝族傣族自治县、峨山彝族自治县、澄江市、江川区、元江哈尼族彝族傣族自治县)

周口市(川汇区、郸城县、沈丘县、扶沟县、商水县、西华县、太康县、淮阳区、项城市、鹿邑县)

克拉玛依市(乌尔禾区、克拉玛依区、独山子区、白碱滩区)

自贡市(富顺县、沿滩区、贡井区、荣县、自流井区、大安区)

海北藏族自治州(海晏县、门源回族自治县、刚察县、祁连县)

许昌市(鄢陵县、长葛市、魏都区、建安区、禹州市、襄城县)

珠海市(斗门区、金湾区、香洲区)

济源市

咸宁市(赤壁市、通山县、通城县、嘉鱼县、崇阳县、咸安区)

郴州市(安仁县、临武县、宜章县、汝城县、桂东县、永兴县、资兴市、桂阳县、苏仙区、嘉禾县、北湖区)

兴安盟(扎赉特旗、阿尔山市、科尔沁右翼前旗、突泉县、乌兰浩特市、科尔沁右翼中旗)

海口市(秀英区、琼山区、龙华区、美兰区)

阿坝藏族羌族自治州(阿坝县、若尔盖县、红原县、九寨沟县、马尔康市、小金县、理县、汶川县、金川县、黑水县、松潘县、茂县、壤塘县)

红河哈尼族彝族自治州(红河县、弥勒市、元阳县、河口瑶族自治县、屏边苗族自治县、泸西县、金平苗族瑶族傣族自治县、开远市、个旧市、建水县、绿春县、蒙自市、石屏县)

山南市(曲松县、乃东区、琼结县、桑日县、错那市、洛扎县、加查县、措美县、浪卡子县、隆子县、扎囊县、贡嘎县)

开封市(龙亭区、禹王台区、鼓楼区、兰考县、杞县、祥符区、顺河回族区、通许县、尉氏县)

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济宁市(梁山县、嘉祥县、曲阜市、邹城市、微山县、汶上县、鱼台县、金乡县、泗水县、任城区、兖州区)

郑州市(管城回族区、中牟县、金水区、中原区、新密市、巩义市、新郑市、上街区、惠济区、二七区、登封市、荥阳市)

宜宾市(珙县、叙州区、高县、筠连县、江安县、兴文县、长宁县、翠屏区、屏山县、南溪区)

茂名市(电白区、高州市、化州市、茂南区、信宜市)  常德市(汉寿县、临澧县、津市市、安乡县、石门县、桃源县、澧县、武陵区、鼎城区)

鄂尔多斯市(达拉特旗、鄂托克旗、康巴什区、准格尔旗、东胜区、伊金霍洛旗、杭锦旗、乌审旗、鄂托克前旗)

昆明市(寻甸回族彝族自治县、嵩明县、呈贡区、东川区、石林彝族自治县、禄劝彝族苗族自治县、晋宁区、安宁市、官渡区、宜良县、西山区、富民县、盘龙区、五华区)

韶关市(南雄市、始兴县、翁源县、新丰县、曲江区、武江区、乳源瑶族自治县、乐昌市、浈江区、仁化县)阿拉善盟(阿拉善左旗、阿拉善右旗、额济纳旗)

三门峡市(卢氏县、义马市、陕州区、湖滨区、渑池县、灵宝市)  黄南藏族自治州(泽库县、河南蒙古族自治县、尖扎县、同仁市)

苏州市(常熟市、太仓市、姑苏区、昆山市、张家港市、虎丘区、吴江区、相城区、吴中区)

南通市(启东市、如东县、崇川区、海门区、海安市、如皋市、通州区)

三沙市(西沙区、南沙区)酒泉市(肃北蒙古族自治县、玉门市、瓜州县、金塔县、阿克塞哈萨克族自治县、敦煌市、肃州区)

乌海市(海勃湾区、乌达区、海南区)

贵港市(港南区、桂平市、港北区、覃塘区、平南县)

海东市(循化撒拉族自治县、互助土族自治县、民和回族土族自治县、平安区、乐都区、化隆回族自治县)

白山市(靖宇县、浑江区、抚松县、江源区、长白朝鲜族自治县、临江市)

连云港市(海州区、灌南县、灌云县、连云区、赣榆区、东海县)

内蒙古自治区

泉州市(洛江区、石狮市、金门县、泉港区、丰泽区、鲤城区、德化县、安溪县、南安市、惠安县、永春县、晋江市)

三亚市(海棠区、吉阳区、天涯区、崖州区)

林芝市(米林市、巴宜区、波密县、墨脱县、工布江达县、察隅县、朗县)

河源市(龙川县、和平县、紫金县、源城区、连平县、东源县)

海南藏族自治州(贵南县、贵德县、同德县、兴海县、共和县)

盘锦市(兴隆台区、盘山县、大洼区、双台子区)

拉萨市(林周县、尼木县、堆龙德庆区、墨竹工卡县、达孜区、城关区、曲水县、当雄县)

兰州市(榆中县、安宁区、红古区、西固区、七里河区、城关区、永登县、皋兰县)

泰安市(肥城市、岱岳区、宁阳县、泰山区、新泰市、东平县)

渭南市(大荔县、蒲城县、华阴市、华州区、临渭区、合阳县、韩城市、富平县、白水县、潼关县、澄城县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。