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钦州市(灵山县、钦北区、浦北县、钦南区)

阜新市(太平区、彰武县、细河区、阜新蒙古族自治县、清河门区、新邱区、海州区)

北海市(银海区、海城区、合浦县、铁山港区)

贺州市(昭平县、平桂区、钟山县、八步区、富川瑶族自治县)  郴州市(苏仙区、桂阳县、安仁县、嘉禾县、汝城县、永兴县、临武县、宜章县、桂东县、资兴市、北湖区)

恩施土家族苗族自治州(恩施市、宣恩县、利川市、来凤县、建始县、巴东县、咸丰县、鹤峰县)

宝鸡市(眉县、凤翔区、陈仓区、岐山县、凤县、陇县、麟游县、渭滨区、千阳县、扶风县、太白县、金台区)

三沙市(西沙区、南沙区)聊城市(冠县、东昌府区、临清市、东阿县、高唐县、莘县、茌平区、阳谷县)

珠海市(香洲区、金湾区、斗门区)  江门市(鹤山市、开平市、江海区、蓬江区、新会区、台山市、恩平市)

三明市(清流县、宁化县、永安市、大田县、将乐县、建宁县、沙县区、三元区、泰宁县、明溪县、尤溪县)

宜昌市(远安县、点军区、五峰土家族自治县、夷陵区、猇亭区、秭归县、伍家岗区、长阳土家族自治县、宜都市、兴山县、当阳市、枝江市、西陵区)

上海市(普陀区、崇明区、宝山区、闵行区、长宁区、静安区、松江区、金山区、黄浦区、浦东新区、虹口区、徐汇区、奉贤区、嘉定区、青浦区、杨浦区)

临夏回族自治州(永靖县、东乡族自治县、积石山保安族东乡族撒拉族自治县、临夏市、广河县、和政县、康乐县、临夏县)

济宁市(兖州区、嘉祥县、泗水县、汶上县、曲阜市、任城区、鱼台县、微山县、梁山县、金乡县、邹城市)

儋州市

淄博市(桓台县、博山区、张店区、沂源县、临淄区、周村区、淄川区、高青县)

长春市(南关区、宽城区、德惠市、九台区、农安县、朝阳区、二道区、公主岭市、榆树市、绿园区、双阳区)

岳阳市(湘阴县、云溪区、岳阳县、临湘市、汨罗市、君山区、平江县、华容县、岳阳楼区)

铜川市(宜君县、耀州区、王益区、印台区)

扬州市(高邮市、江都区、宝应县、邗江区、仪征市、广陵区)

内蒙古自治区

揭阳市(惠来县、普宁市、揭西县、榕城区、揭东区)

晋城市(高平市、阳城县、城区、泽州县、陵川县、沁水县)

新乡市(卫辉市、卫滨区、原阳县、长垣市、新乡县、获嘉县、凤泉区、封丘县、红旗区、牧野区、辉县市、延津县)

克拉玛依市(克拉玛依区、独山子区、白碱滩区、乌尔禾区)

阳泉市(矿区、郊区、盂县、城区、平定县)

兰州市(红古区、七里河区、西固区、皋兰县、城关区、安宁区、榆中县、永登县)

温州市(平阳县、文成县、泰顺县、瓯海区、苍南县、瑞安市、龙湾区、鹿城区、永嘉县、洞头区、乐清市、龙港市)

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贵港市(桂平市、港南区、港北区、平南县、覃塘区)

吉安市(泰和县、吉安县、遂川县、安福县、吉州区、永丰县、青原区、井冈山市、永新县、吉水县、峡江县、新干县、万安县)

玉溪市(澄江市、易门县、元江哈尼族彝族傣族自治县、新平彝族傣族自治县、红塔区、通海县、江川区、峨山彝族自治县、华宁县)

新余市(分宜县、渝水区)  湘西土家族苗族自治州(花垣县、龙山县、保靖县、永顺县、吉首市、古丈县、泸溪县、凤凰县)

漯河市(舞阳县、临颍县、源汇区、召陵区、郾城区)

晋中市(灵石县、祁县、介休市、左权县、平遥县、榆次区、寿阳县、太谷区、榆社县、昔阳县、和顺县)

通辽市(科尔沁左翼后旗、扎鲁特旗、开鲁县、科尔沁左翼中旗、库伦旗、奈曼旗、霍林郭勒市、科尔沁区)云浮市(云城区、罗定市、云安区、新兴县、郁南县)

宁夏回族自治区  海南藏族自治州(贵南县、兴海县、共和县、贵德县、同德县)

阿里地区(噶尔县、措勤县、日土县、革吉县、改则县、普兰县、札达县)

辽阳市(宏伟区、灯塔市、辽阳县、太子河区、白塔区、文圣区、弓长岭区)

武威市(凉州区、天祝藏族自治县、民勤县、古浪县)双鸭山市(宝山区、宝清县、饶河县、友谊县、四方台区、岭东区、集贤县、尖山区)

嘉兴市(海宁市、平湖市、桐乡市、海盐县、嘉善县、秀洲区、南湖区)

哈尔滨市(呼兰区、香坊区、松北区、尚志市、通河县、宾县、方正县、道外区、道里区、南岗区、五常市、阿城区、双城区、依兰县、延寿县、木兰县、平房区、巴彦县)

那曲市(嘉黎县、申扎县、色尼区、索县、聂荣县、比如县、尼玛县、双湖县、班戈县、巴青县、安多县)

上饶市(横峰县、铅山县、婺源县、余干县、德兴市、广丰区、广信区、玉山县、弋阳县、鄱阳县、信州区、万年县)

南阳市(社旗县、方城县、唐河县、宛城区、淅川县、新野县、内乡县、西峡县、邓州市、卧龙区、南召县、镇平县、桐柏县)

荆州市(洪湖市、石首市、江陵县、沙市区、监利市、荆州区、公安县、松滋市)

襄阳市(襄州区、谷城县、襄城区、老河口市、保康县、南漳县、枣阳市、樊城区、宜城市)

庆阳市(镇原县、华池县、西峰区、宁县、正宁县、环县、合水县、庆城县)

淮南市(八公山区、田家庵区、谢家集区、凤台县、寿县、潘集区、大通区)

长沙市(芙蓉区、浏阳市、长沙县、雨花区、望城区、开福区、天心区、宁乡市、岳麓区)

安顺市(关岭布依族苗族自治县、西秀区、普定县、镇宁布依族苗族自治县、平坝区、紫云苗族布依族自治县)

铜陵市(铜官区、郊区、义安区、枞阳县)

南京市(玄武区、建邺区、栖霞区、雨花台区、秦淮区、鼓楼区、高淳区、溧水区、江宁区、六合区、浦口区)

台州市(椒江区、黄岩区、三门县、天台县、临海市、路桥区、仙居县、玉环市、温岭市)

阜阳市(临泉县、颍上县、界首市、颍东区、颍州区、太和县、颍泉区、阜南县)

萍乡市(安源区、莲花县、芦溪县、湘东区、上栗县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。