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辽阳市(白塔区、宏伟区、灯塔市、辽阳县、弓长岭区、文圣区、太子河区)

天津市(蓟州区、西青区、北辰区、和平区、宁河区、红桥区、静海区、武清区、滨海新区、河西区、津南区、宝坻区、南开区、河东区、东丽区、河北区)

长治市(平顺县、屯留区、襄垣县、武乡县、壶关县、沁县、潞城区、沁源县、潞州区、长子县、黎城县、上党区)

运城市(临猗县、绛县、平陆县、稷山县、闻喜县、新绛县、垣曲县、夏县、万荣县、芮城县、盐湖区、河津市、永济市)  大庆市(林甸县、让胡路区、大同区、肇州县、肇源县、萨尔图区、红岗区、龙凤区、杜尔伯特蒙古族自治县)

迪庆藏族自治州(维西傈僳族自治县、德钦县、香格里拉市)

怀化市(靖州苗族侗族自治县、麻阳苗族自治县、新晃侗族自治县、通道侗族自治县、芷江侗族自治县、沅陵县、洪江市、中方县、溆浦县、会同县、鹤城区、辰溪县)

南平市(建瓯市、光泽县、建阳区、顺昌县、武夷山市、浦城县、延平区、邵武市、政和县、松溪县)

新疆维吾尔自治区  南通市(海门区、崇川区、启东市、如东县、通州区、海安市、如皋市)

巴中市(恩阳区、南江县、通江县、巴州区、平昌县)

海西蒙古族藏族自治州(茫崖市、德令哈市、都兰县、格尔木市、天峻县、乌兰县)

昌都市(贡觉县、察雅县、丁青县、类乌齐县、左贡县、江达县、洛隆县、芒康县、卡若区、八宿县、边坝县)

林芝市(墨脱县、波密县、察隅县、工布江达县、朗县、米林市、巴宜区)

永州市(冷水滩区、双牌县、道县、零陵区、江华瑶族自治县、祁阳市、新田县、东安县、宁远县、蓝山县、江永县)

黄石市(黄石港区、铁山区、阳新县、西塞山区、下陆区、大冶市)

宿迁市(宿城区、泗阳县、沭阳县、宿豫区、泗洪县)

晋中市(寿阳县、灵石县、昔阳县、榆社县、榆次区、左权县、太谷区、平遥县、和顺县、介休市、祁县)

延边朝鲜族自治州(和龙市、汪清县、敦化市、珲春市、图们市、延吉市、龙井市、安图县)

香港特别行政区

六安市(舒城县、霍邱县、金寨县、裕安区、霍山县、叶集区、金安区)

扬州市(江都区、仪征市、邗江区、广陵区、高邮市、宝应县)

常州市(钟楼区、溧阳市、天宁区、新北区、武进区、金坛区)

苏州市(吴江区、吴中区、太仓市、张家港市、姑苏区、虎丘区、相城区、昆山市、常熟市)

宁夏回族自治区

宣城市(广德市、绩溪县、泾县、郎溪县、旌德县、宣州区、宁国市)

齐齐哈尔市(讷河市、依安县、铁锋区、碾子山区、拜泉县、龙江县、泰来县、富拉尔基区、梅里斯达斡尔族区、克东县、龙沙区、克山县、昂昂溪区、富裕县、甘南县、建华区)

铜仁市(德江县、沿河土家族自治县、松桃苗族自治县、印江土家族苗族自治县、石阡县、万山区、玉屏侗族自治县、碧江区、思南县、江口县)

普洱市(澜沧拉祜族自治县、西盟佤族自治县、景东彝族自治县、景谷傣族彝族自治县、江城哈尼族彝族自治县、思茅区、墨江哈尼族自治县、孟连傣族拉祜族佤族自治县、宁洱哈尼族彝族自治县、镇沅彝族哈尼族拉祜族自治县)

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茂名市(信宜市、电白区、高州市、化州市、茂南区)

赣州市(瑞金市、赣县区、寻乌县、龙南市、定南县、宁都县、于都县、大余县、兴国县、章贡区、会昌县、南康区、安远县、信丰县、崇义县、上犹县、全南县、石城县)

大兴安岭地区(塔河县、呼玛县、漠河市)

和田地区(和田市、墨玉县、皮山县、民丰县、策勒县、和田县、洛浦县、于田县)  安康市(平利县、石泉县、汉滨区、紫阳县、旬阳市、白河县、宁陕县、岚皋县、镇坪县、汉阴县)

常德市(石门县、临澧县、武陵区、桃源县、津市市、澧县、安乡县、汉寿县、鼎城区)

北海市(合浦县、海城区、银海区、铁山港区)

株洲市(醴陵市、芦淞区、天元区、荷塘区、渌口区、攸县、石峰区、炎陵县、茶陵县)日照市(莒县、五莲县、东港区、岚山区)

承德市(鹰手营子矿区、双滦区、承德县、围场满族蒙古族自治县、隆化县、兴隆县、丰宁满族自治县、宽城满族自治县、平泉市、双桥区、滦平县)  黄冈市(麻城市、武穴市、浠水县、团风县、黄州区、红安县、黄梅县、蕲春县、英山县、罗田县)

宝鸡市(金台区、太白县、麟游县、凤翔区、陈仓区、眉县、岐山县、千阳县、陇县、扶风县、凤县、渭滨区)

广西壮族自治区

西宁市(大通回族土族自治县、城西区、湟源县、湟中区、城北区、城中区、城东区)牡丹江市(穆棱市、绥芬河市、林口县、宁安市、东宁市、爱民区、西安区、东安区、阳明区、海林市)

福州市(台江区、永泰县、闽清县、马尾区、长乐区、鼓楼区、晋安区、平潭县、罗源县、仓山区、连江县、闽侯县、福清市)

吉安市(永丰县、泰和县、遂川县、永新县、吉州区、青原区、万安县、峡江县、新干县、井冈山市、吉安县、吉水县、安福县)

烟台市(芝罘区、莱州市、蓬莱区、龙口市、海阳市、招远市、莱山区、福山区、莱阳市、牟平区、栖霞市)

甘南藏族自治州(玛曲县、夏河县、迭部县、卓尼县、合作市、碌曲县、临潭县、舟曲县)

克拉玛依市(克拉玛依区、乌尔禾区、白碱滩区、独山子区)

漯河市(源汇区、临颍县、召陵区、舞阳县、郾城区)

临汾市(永和县、霍州市、隰县、尧都区、安泽县、大宁县、古县、乡宁县、侯马市、蒲县、汾西县、曲沃县、襄汾县、洪洞县、翼城县、浮山县、吉县)

三沙市(南沙区、西沙区)

镇江市(京口区、丹徒区、丹阳市、扬中市、润州区、句容市)

玉林市(陆川县、兴业县、容县、北流市、福绵区、玉州区、博白县)

十堰市(竹溪县、茅箭区、房县、张湾区、郧西县、丹江口市、郧阳区、竹山县)

泉州市(德化县、南安市、丰泽区、安溪县、金门县、泉港区、惠安县、石狮市、晋江市、永春县、鲤城区、洛江区)

通化市(通化县、集安市、柳河县、东昌区、辉南县、梅河口市、二道江区)

郑州市(二七区、新密市、金水区、惠济区、中原区、荥阳市、新郑市、中牟县、上街区、巩义市、登封市、管城回族区)

南阳市(镇平县、南召县、唐河县、邓州市、社旗县、卧龙区、桐柏县、西峡县、方城县、淅川县、新野县、内乡县、宛城区)

淄博市(沂源县、博山区、周村区、淄川区、临淄区、桓台县、张店区、高青县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。