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邯郸市(馆陶县、鸡泽县、峰峰矿区、邱县、复兴区、邯山区、永年区、丛台区、广平县、成安县、临漳县、肥乡区、磁县、曲周县、大名县、魏县、武安市、涉县)

常德市(津市市、桃源县、临澧县、石门县、安乡县、澧县、汉寿县、武陵区、鼎城区)

娄底市(双峰县、冷水江市、娄星区、涟源市、新化县)

株洲市(茶陵县、天元区、石峰区、荷塘区、炎陵县、醴陵市、渌口区、攸县、芦淞区)  黔南布依族苗族自治州(平塘县、贵定县、惠水县、三都水族自治县、都匀市、福泉市、独山县、荔波县、龙里县、瓮安县、罗甸县、长顺县)

陇南市(康县、礼县、西和县、宕昌县、两当县、成县、武都区、徽县、文县)

黔西南布依族苗族自治州(兴仁市、晴隆县、望谟县、兴义市、普安县、册亨县、贞丰县、安龙县)

岳阳市(云溪区、平江县、汨罗市、临湘市、华容县、岳阳县、湘阴县、岳阳楼区、君山区)

杭州市(西湖区、钱塘区、滨江区、桐庐县、临平区、上城区、淳安县、建德市、临安区、拱墅区、萧山区、富阳区、余杭区)  铜陵市(义安区、枞阳县、铜官区、郊区)

邵阳市(城步苗族自治县、邵东市、邵阳县、大祥区、新邵县、双清区、北塔区、绥宁县、洞口县、隆回县、武冈市、新宁县)

凉山彝族自治州(会东县、西昌市、金阳县、喜德县、布拖县、美姑县、越西县、宁南县、普格县、会理市、木里藏族自治县、盐源县、冕宁县、德昌县、雷波县、昭觉县、甘洛县)

益阳市(资阳区、沅江市、赫山区、桃江县、安化县、南县)

咸宁市(通山县、崇阳县、咸安区、赤壁市、嘉鱼县、通城县)

南平市(顺昌县、光泽县、浦城县、邵武市、延平区、松溪县、武夷山市、建阳区、建瓯市、政和县)

河池市(凤山县、天峨县、东兰县、大化瑶族自治县、南丹县、罗城仫佬族自治县、环江毛南族自治县、巴马瑶族自治县、金城江区、宜州区、都安瑶族自治县)

哈密市(伊吾县、伊州区、巴里坤哈萨克自治县)

河源市(龙川县、和平县、连平县、源城区、东源县、紫金县)

葫芦岛市(兴城市、龙港区、建昌县、连山区、绥中县、南票区)

襄阳市(襄城区、樊城区、襄州区、谷城县、老河口市、南漳县、保康县、枣阳市、宜城市)

新余市(分宜县、渝水区)

吴忠市(利通区、红寺堡区、盐池县、青铜峡市、同心县)

南阳市(桐柏县、内乡县、新野县、镇平县、淅川县、邓州市、南召县、宛城区、社旗县、西峡县、卧龙区、方城县、唐河县)

开封市(通许县、鼓楼区、龙亭区、尉氏县、兰考县、顺河回族区、祥符区、杞县、禹王台区)

防城港市(防城区、上思县、港口区、东兴市)

塔城地区(托里县、乌苏市、裕民县、塔城市、额敏县、沙湾市、和布克赛尔蒙古自治县)

营口市(老边区、大石桥市、站前区、西市区、鲅鱼圈区、盖州市)

聊城市(阳谷县、高唐县、莘县、东阿县、临清市、茌平区、东昌府区、冠县)

固原市(彭阳县、西吉县、原州区、泾源县、隆德县)

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资阳市(安岳县、乐至县、雁江区)

中卫市(中宁县、沙坡头区、海原县)

徐州市(沛县、贾汪区、云龙区、丰县、邳州市、铜山区、泉山区、鼓楼区、睢宁县、新沂市)

茂名市(化州市、信宜市、茂南区、高州市、电白区)  大理白族自治州(洱源县、弥渡县、巍山彝族回族自治县、宾川县、南涧彝族自治县、永平县、剑川县、祥云县、漾濞彝族自治县、云龙县、大理市、鹤庆县)

重庆市(垫江县、黔江区、万州区、酉阳土家族苗族自治县、渝北区、奉节县、渝中区、北碚区、大足区、九龙坡区、沙坪坝区、丰都县、潼南区、大渡口区、忠县、长寿区、石柱土家族自治县、城口县、开州区、武隆区、铜梁区、彭水苗族土家族自治县、合川区、巫山县、梁平区、秀山土家族苗族自治县、綦江区、云阳县、涪陵区、江津区、南岸区、南川区、永川区、江北区、巴南区、璧山区、荣昌区、巫溪县)

德阳市(广汉市、绵竹市、什邡市、中江县、罗江区、旌阳区)

仙桃市(神农架林区、天门市、潜江市)吕梁市(交城县、汾阳市、方山县、兴县、临县、文水县、孝义市、中阳县、离石区、柳林县、石楼县、岚县、交口县)

临汾市(尧都区、乡宁县、汾西县、浮山县、曲沃县、吉县、蒲县、洪洞县、隰县、永和县、大宁县、襄汾县、古县、安泽县、侯马市、霍州市、翼城县)  达州市(万源市、开江县、宣汉县、达川区、通川区、大竹县、渠县)

商丘市(民权县、夏邑县、永城市、柘城县、睢阳区、梁园区、虞城县、睢县、宁陵县)

湛江市(霞山区、赤坎区、坡头区、廉江市、徐闻县、麻章区、雷州市、遂溪县、吴川市)

安阳市(汤阴县、滑县、殷都区、安阳县、林州市、北关区、龙安区、内黄县、文峰区)信阳市(固始县、商城县、淮滨县、新县、浉河区、罗山县、光山县、潢川县、平桥区、息县)

汕头市(潮阳区、金平区、龙湖区、濠江区、南澳县、潮南区、澄海区)

金昌市(永昌县、金川区)

黄石市(下陆区、阳新县、西塞山区、大冶市、铁山区、黄石港区)

梅州市(平远县、蕉岭县、丰顺县、兴宁市、梅江区、大埔县、梅县区、五华县)

盘锦市(盘山县、双台子区、兴隆台区、大洼区)

三明市(三元区、清流县、宁化县、建宁县、大田县、明溪县、沙县区、将乐县、泰宁县、永安市、尤溪县)

兴安盟(科尔沁右翼中旗、阿尔山市、扎赉特旗、科尔沁右翼前旗、突泉县、乌兰浩特市)

晋中市(平遥县、昔阳县、祁县、榆次区、介休市、左权县、太谷区、和顺县、榆社县、灵石县、寿阳县)

东营市(东营区、利津县、河口区、垦利区、广饶县)

常州市(天宁区、金坛区、溧阳市、钟楼区、武进区、新北区)

龙岩市(武平县、上杭县、新罗区、漳平市、长汀县、连城县、永定区)

长沙市(望城区、岳麓区、开福区、宁乡市、雨花区、长沙县、浏阳市、天心区、芙蓉区)

西双版纳傣族自治州(勐海县、景洪市、勐腊县)

鄂尔多斯市(达拉特旗、伊金霍洛旗、准格尔旗、乌审旗、鄂托克旗、杭锦旗、东胜区、康巴什区、鄂托克前旗)

鞍山市(千山区、台安县、铁东区、铁西区、海城市、立山区、岫岩满族自治县)

中山市

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。