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自贡市(荣县、大安区、富顺县、自流井区、沿滩区、贡井区)

文山壮族苗族自治州(西畴县、广南县、丘北县、富宁县、麻栗坡县、砚山县、马关县、文山市)

丹东市(东港市、凤城市、振安区、振兴区、元宝区、宽甸满族自治县)  郴州市(桂阳县、苏仙区、资兴市、桂东县、安仁县、汝城县、嘉禾县、临武县、永兴县、宜章县、北湖区)

十堰市(丹江口市、房县、竹溪县、张湾区、郧阳区、郧西县、茅箭区、竹山县)

仙桃市(潜江市、天门市、神农架林区)

贵阳市(清镇市、观山湖区、息烽县、云岩区、南明区、乌当区、花溪区、开阳县、修文县、白云区)延安市(洛川县、吴起县、甘泉县、宝塔区、延川县、富县、黄龙县、安塞区、子长市、延长县、志丹县、黄陵县、宜川县)

辽源市(东辽县、龙山区、东丰县、西安区)  潍坊市(高密市、奎文区、临朐县、昌乐县、潍城区、坊子区、寿光市、诸城市、昌邑市、青州市、寒亭区、安丘市)

湛江市(赤坎区、麻章区、徐闻县、坡头区、吴川市、霞山区、遂溪县、廉江市、雷州市)

鄂州市(鄂城区、华容区、梁子湖区)

咸宁市(嘉鱼县、通城县、通山县、咸安区、崇阳县、赤壁市)

梅州市(平远县、梅县区、大埔县、五华县、丰顺县、兴宁市、梅江区、蕉岭县)

随州市(曾都区、随县、广水市)

安康市(平利县、紫阳县、旬阳市、宁陕县、白河县、岚皋县、石泉县、镇坪县、汉阴县、汉滨区)

昆明市(五华区、盘龙区、宜良县、石林彝族自治县、晋宁区、禄劝彝族苗族自治县、嵩明县、安宁市、官渡区、寻甸回族彝族自治县、东川区、富民县、呈贡区、西山区)

苏州市(昆山市、张家港市、相城区、姑苏区、虎丘区、太仓市、吴中区、常熟市、吴江区)

眉山市(东坡区、丹棱县、洪雅县、仁寿县、彭山区、青神县)

邢台市(襄都区、柏乡县、临城县、清河县、新河县、任泽区、信都区、隆尧县、沙河市、巨鹿县、内丘县、平乡县、临西县、威县、宁晋县、南和区、南宫市、广宗县)

济南市(市中区、长清区、钢城区、槐荫区、历下区、章丘区、天桥区、莱芜区、商河县、历城区、平阴县、济阳区)

金华市(义乌市、武义县、浦江县、婺城区、东阳市、兰溪市、金东区、永康市、磐安县)

嘉峪关市

黄山市(休宁县、屯溪区、祁门县、歙县、徽州区、黟县、黄山区)

石嘴山市(惠农区、平罗县、大武口区)

黔南布依族苗族自治州(长顺县、福泉市、罗甸县、三都水族自治县、都匀市、瓮安县、惠水县、贵定县、龙里县、平塘县、荔波县、独山县)

昌都市(洛隆县、卡若区、江达县、芒康县、察雅县、边坝县、丁青县、类乌齐县、左贡县、贡觉县、八宿县)

玉溪市(易门县、通海县、红塔区、新平彝族傣族自治县、江川区、元江哈尼族彝族傣族自治县、华宁县、澄江市、峨山彝族自治县)

南京市(江宁区、栖霞区、雨花台区、秦淮区、建邺区、六合区、鼓楼区、溧水区、高淳区、玄武区、浦口区)

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长治市(上党区、武乡县、屯留区、襄垣县、黎城县、潞州区、潞城区、沁源县、平顺县、沁县、壶关县、长子县)

益阳市(桃江县、沅江市、安化县、资阳区、赫山区、南县)

丽水市(庆元县、松阳县、青田县、景宁畲族自治县、缙云县、莲都区、龙泉市、遂昌县、云和县)  镇江市(京口区、扬中市、丹阳市、句容市、润州区、丹徒区)

嘉兴市(桐乡市、海宁市、南湖区、海盐县、秀洲区、平湖市、嘉善县)

丽江市(华坪县、永胜县、玉龙纳西族自治县、古城区、宁蒗彝族自治县)

泰安市(宁阳县、泰山区、岱岳区、新泰市、肥城市、东平县)常德市(安乡县、澧县、津市市、桃源县、武陵区、石门县、临澧县、鼎城区、汉寿县)

中山市  唐山市(遵化市、滦南县、路北区、丰润区、滦州市、迁西县、古冶区、丰南区、迁安市、乐亭县、玉田县、开平区、路南区、曹妃甸区)

盘锦市(盘山县、大洼区、兴隆台区、双台子区)

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巴彦淖尔市(乌拉特后旗、杭锦后旗、临河区、乌拉特中旗、磴口县、五原县、乌拉特前旗)汕尾市(海丰县、陆丰市、陆河县、城区)

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广西壮族自治区

大兴安岭地区(呼玛县、塔河县、漠河市)

阜新市(细河区、彰武县、海州区、清河门区、阜新蒙古族自治县、太平区、新邱区)

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河池市(环江毛南族自治县、金城江区、都安瑶族自治县、罗城仫佬族自治县、巴马瑶族自治县、东兰县、天峨县、大化瑶族自治县、凤山县、宜州区、南丹县)

通辽市(科尔沁左翼中旗、科尔沁区、开鲁县、科尔沁左翼后旗、库伦旗、奈曼旗、霍林郭勒市、扎鲁特旗)

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普洱市(思茅区、景东彝族自治县、澜沧拉祜族自治县、墨江哈尼族自治县、孟连傣族拉祜族佤族自治县、江城哈尼族彝族自治县、西盟佤族自治县、景谷傣族彝族自治县、宁洱哈尼族彝族自治县、镇沅彝族哈尼族拉祜族自治县)

广元市(剑阁县、朝天区、利州区、青川县、旺苍县、昭化区、苍溪县)

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中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。