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乌海市(海勃湾区、乌达区、海南区)

阿克苏地区(温宿县、新和县、拜城县、柯坪县、沙雅县、阿瓦提县、乌什县、库车市、阿克苏市)

商洛市(洛南县、山阳县、镇安县、商州区、商南县、丹凤县、柞水县)

昭通市(镇雄县、绥江县、水富市、大关县、威信县、昭阳区、巧家县、盐津县、永善县、鲁甸县、彝良县)  防城港市(港口区、防城区、上思县、东兴市)

岳阳市(汨罗市、云溪区、君山区、岳阳县、平江县、岳阳楼区、湘阴县、临湘市、华容县)

十堰市(竹山县、郧阳区、竹溪县、张湾区、丹江口市、房县、茅箭区、郧西县)

台州市(三门县、温岭市、路桥区、黄岩区、椒江区、仙居县、临海市、天台县、玉环市)

鹤壁市(鹤山区、淇滨区、山城区、淇县、浚县)  廊坊市(永清县、大城县、文安县、广阳区、安次区、固安县、大厂回族自治县、霸州市、三河市、香河县)

开封市(兰考县、尉氏县、鼓楼区、杞县、祥符区、顺河回族区、禹王台区、通许县、龙亭区)

阜阳市(颍上县、太和县、临泉县、颍州区、颍泉区、颍东区、阜南县、界首市)

安康市(白河县、宁陕县、平利县、汉滨区、镇坪县、紫阳县、汉阴县、岚皋县、石泉县、旬阳市)

乌兰察布市(凉城县、四子王旗、丰镇市、商都县、卓资县、察哈尔右翼前旗、集宁区、兴和县、察哈尔右翼中旗、化德县、察哈尔右翼后旗)

遂宁市(安居区、大英县、船山区、射洪市、蓬溪县)

无锡市(梁溪区、新吴区、滨湖区、锡山区、宜兴市、江阴市、惠山区)

克拉玛依市(独山子区、乌尔禾区、克拉玛依区、白碱滩区)

湘西土家族苗族自治州(凤凰县、花垣县、吉首市、龙山县、保靖县、永顺县、古丈县、泸溪县)

西双版纳傣族自治州(勐腊县、景洪市、勐海县)

保定市(望都县、唐县、容城县、高阳县、莲池区、定州市、安国市、涞源县、顺平县、高碑店市、易县、蠡县、满城区、阜平县、安新县、清苑区、曲阳县、定兴县、竞秀区、涿州市、博野县、涞水县、雄县、徐水区)

鹤岗市(工农区、向阳区、绥滨县、南山区、萝北县、兴山区、兴安区、东山区)

那曲市(申扎县、尼玛县、嘉黎县、比如县、索县、双湖县、色尼区、班戈县、安多县、巴青县、聂荣县)

玉溪市(澄江市、易门县、江川区、峨山彝族自治县、通海县、新平彝族傣族自治县、红塔区、元江哈尼族彝族傣族自治县、华宁县)

济南市(槐荫区、长清区、济阳区、商河县、市中区、历下区、钢城区、天桥区、莱芜区、章丘区、平阴县、历城区)

白山市(临江市、浑江区、江源区、抚松县、靖宇县、长白朝鲜族自治县)

黄山市(歙县、休宁县、屯溪区、徽州区、黟县、黄山区、祁门县)

迪庆藏族自治州(德钦县、香格里拉市、维西傈僳族自治县)

绍兴市(新昌县、柯桥区、嵊州市、诸暨市、上虞区、越城区)

鸡西市(鸡冠区、密山市、鸡东县、麻山区、梨树区、滴道区、虎林市、城子河区、恒山区)

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枣庄市(滕州市、台儿庄区、市中区、山亭区、峄城区、薛城区)

三亚市(崖州区、天涯区、吉阳区、海棠区)

永州市(冷水滩区、宁远县、江永县、江华瑶族自治县、零陵区、双牌县、东安县、蓝山县、道县、祁阳市、新田县)

大兴安岭地区(呼玛县、塔河县、漠河市)  阿里地区(改则县、革吉县、措勤县、噶尔县、札达县、日土县、普兰县)

柳州市(融水苗族自治县、柳南区、鹿寨县、柳城县、融安县、柳北区、三江侗族自治县、柳江区、城中区、鱼峰区)

丽江市(玉龙纳西族自治县、宁蒗彝族自治县、古城区、华坪县、永胜县)

眉山市(洪雅县、青神县、丹棱县、东坡区、仁寿县、彭山区)益阳市(赫山区、南县、桃江县、资阳区、安化县、沅江市)

济源市  厦门市(湖里区、同安区、海沧区、思明区、翔安区、集美区)

盘锦市(兴隆台区、双台子区、盘山县、大洼区)

长沙市(宁乡市、雨花区、浏阳市、长沙县、岳麓区、天心区、望城区、芙蓉区、开福区)

赣州市(安远县、龙南市、宁都县、瑞金市、兴国县、全南县、寻乌县、定南县、南康区、上犹县、信丰县、会昌县、赣县区、石城县、大余县、于都县、崇义县、章贡区)昌吉回族自治州(阜康市、昌吉市、吉木萨尔县、奇台县、呼图壁县、玛纳斯县、木垒哈萨克自治县)

玉树藏族自治州(称多县、囊谦县、玉树市、治多县、曲麻莱县、杂多县)

新疆维吾尔自治区

赤峰市(克什克腾旗、敖汉旗、巴林左旗、巴林右旗、喀喇沁旗、松山区、翁牛特旗、红山区、阿鲁科尔沁旗、林西县、宁城县、元宝山区)

湘潭市(湘乡市、湘潭县、雨湖区、韶山市、岳塘区)

淮北市(杜集区、相山区、烈山区、濉溪县)

黔南布依族苗族自治州(长顺县、贵定县、荔波县、平塘县、都匀市、罗甸县、三都水族自治县、惠水县、福泉市、独山县、瓮安县、龙里县)

呼伦贝尔市(新巴尔虎左旗、鄂伦春自治旗、根河市、陈巴尔虎旗、扎兰屯市、莫力达瓦达斡尔族自治旗、扎赉诺尔区、额尔古纳市、鄂温克族自治旗、海拉尔区、满洲里市、牙克石市、阿荣旗、新巴尔虎右旗)

平顶山市(汝州市、郏县、叶县、石龙区、卫东区、宝丰县、湛河区、舞钢市、新华区、鲁山县)

伊犁哈萨克自治州(奎屯市、伊宁县、新源县、霍城县、特克斯县、霍尔果斯市、伊宁市、昭苏县、察布查尔锡伯自治县、巩留县、尼勒克县)

漯河市(临颍县、召陵区、郾城区、舞阳县、源汇区)

上饶市(玉山县、广信区、弋阳县、鄱阳县、德兴市、万年县、广丰区、婺源县、铅山县、余干县、横峰县、信州区)

安阳市(文峰区、殷都区、龙安区、北关区、林州市、内黄县、滑县、汤阴县、安阳县)

河源市(东源县、源城区、龙川县、紫金县、连平县、和平县)

吕梁市(岚县、交城县、离石区、柳林县、临县、兴县、中阳县、孝义市、方山县、交口县、汾阳市、石楼县、文水县)

淄博市(沂源县、周村区、博山区、张店区、高青县、桓台县、淄川区、临淄区)

舟山市(普陀区、岱山县、嵊泗县、定海区)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。