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七台河市(桃山区、新兴区、勃利县、茄子河区)

仙桃市(天门市、神农架林区、潜江市)

邯郸市(鸡泽县、峰峰矿区、成安县、涉县、广平县、武安市、邯山区、邱县、曲周县、肥乡区、丛台区、复兴区、馆陶县、磁县、魏县、永年区、临漳县、大名县)  眉山市(仁寿县、洪雅县、丹棱县、东坡区、青神县、彭山区)

扬州市(宝应县、邗江区、江都区、高邮市、仪征市、广陵区)

锦州市(义县、黑山县、古塔区、凌河区、北镇市、凌海市、太和区)

晋中市(太谷区、左权县、灵石县、平遥县、祁县、榆社县、和顺县、榆次区、昔阳县、介休市、寿阳县)

银川市(贺兰县、西夏区、金凤区、兴庆区、永宁县、灵武市)  郴州市(桂阳县、临武县、宜章县、桂东县、嘉禾县、汝城县、资兴市、永兴县、北湖区、安仁县、苏仙区)

包头市(达尔罕茂明安联合旗、固阳县、白云鄂博矿区、昆都仑区、东河区、九原区、青山区、土默特右旗、石拐区)

海南藏族自治州(贵德县、同德县、贵南县、兴海县、共和县)

厦门市(湖里区、集美区、翔安区、同安区、思明区、海沧区)

庆阳市(宁县、华池县、合水县、环县、正宁县、西峰区、庆城县、镇原县)

宁德市(蕉城区、福安市、屏南县、寿宁县、古田县、霞浦县、柘荣县、福鼎市、周宁县)

淮安市(洪泽区、淮安区、淮阴区、金湖县、盱眙县、清江浦区、涟水县)

潮州市(潮安区、湘桥区、饶平县)

北海市(海城区、银海区、合浦县、铁山港区)

驻马店市(新蔡县、泌阳县、西平县、遂平县、驿城区、上蔡县、汝南县、确山县、平舆县、正阳县)

汕尾市(海丰县、陆河县、陆丰市、城区)

阿里地区(措勤县、噶尔县、札达县、改则县、日土县、普兰县、革吉县)

兴安盟(科尔沁右翼前旗、乌兰浩特市、扎赉特旗、突泉县、阿尔山市、科尔沁右翼中旗)

合肥市(庐江县、包河区、瑶海区、巢湖市、庐阳区、长丰县、肥东县、蜀山区、肥西县)

赣州市(全南县、会昌县、大余县、龙南市、定南县、石城县、宁都县、信丰县、崇义县、赣县区、安远县、于都县、章贡区、寻乌县、瑞金市、上犹县、南康区、兴国县)

酒泉市(肃北蒙古族自治县、玉门市、瓜州县、肃州区、金塔县、阿克塞哈萨克族自治县、敦煌市)

泸州市(古蔺县、纳溪区、合江县、泸县、江阳区、龙马潭区、叙永县)

玉林市(容县、福绵区、陆川县、兴业县、玉州区、北流市、博白县)

南京市(建邺区、栖霞区、溧水区、江宁区、高淳区、六合区、鼓楼区、秦淮区、雨花台区、浦口区、玄武区)

商洛市(商州区、丹凤县、商南县、洛南县、柞水县、山阳县、镇安县)

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焦作市(孟州市、解放区、山阳区、武陟县、博爱县、温县、沁阳市、马村区、中站区、修武县)

新乡市(卫辉市、辉县市、长垣市、凤泉区、卫滨区、延津县、红旗区、封丘县、牧野区、新乡县、获嘉县、原阳县)

阳泉市(矿区、盂县、城区、平定县、郊区)

蚌埠市(蚌山区、龙子湖区、怀远县、淮上区、固镇县、五河县、禹会区)  三明市(宁化县、沙县区、明溪县、永安市、尤溪县、清流县、将乐县、泰宁县、三元区、建宁县、大田县)

保定市(涞源县、定州市、莲池区、清苑区、蠡县、易县、涞水县、曲阳县、安新县、阜平县、顺平县、望都县、安国市、涿州市、竞秀区、容城县、博野县、满城区、徐水区、高阳县、定兴县、高碑店市、唐县、雄县)

徐州市(云龙区、丰县、睢宁县、铜山区、鼓楼区、沛县、泉山区、新沂市、邳州市、贾汪区)

乌鲁木齐市(米东区、天山区、沙依巴克区、乌鲁木齐县、头屯河区、新市区、水磨沟区、达坂城区)鹤岗市(兴山区、萝北县、兴安区、南山区、工农区、绥滨县、东山区、向阳区)

上饶市(玉山县、鄱阳县、横峰县、铅山县、余干县、婺源县、德兴市、万年县、广丰区、广信区、弋阳县、信州区)  吴忠市(红寺堡区、盐池县、青铜峡市、利通区、同心县)

佳木斯市(桦南县、向阳区、桦川县、东风区、前进区、汤原县、同江市、富锦市、郊区、抚远市)

大同市(天镇县、阳高县、广灵县、新荣区、平城区、左云县、灵丘县、浑源县、云冈区、云州区)

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萍乡市(上栗县、莲花县、安源区、湘东区、芦溪县)

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鞍山市(台安县、立山区、岫岩满族自治县、铁西区、铁东区、海城市、千山区)

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日照市(东港区、岚山区、五莲县、莒县)

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中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。