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泰安市(肥城市、新泰市、宁阳县、泰山区、东平县、岱岳区)

河源市(连平县、紫金县、东源县、龙川县、源城区、和平县)

银川市(贺兰县、兴庆区、西夏区、永宁县、灵武市、金凤区)

济宁市(鱼台县、兖州区、泗水县、嘉祥县、邹城市、曲阜市、金乡县、微山县、任城区、梁山县、汶上县)  长沙市(岳麓区、雨花区、长沙县、天心区、宁乡市、芙蓉区、望城区、浏阳市、开福区)

南阳市(淅川县、西峡县、社旗县、桐柏县、唐河县、卧龙区、镇平县、新野县、内乡县、邓州市、方城县、宛城区、南召县)

长治市(壶关县、沁县、沁源县、屯留区、黎城县、武乡县、潞州区、长子县、上党区、襄垣县、潞城区、平顺县)

烟台市(牟平区、莱州市、龙口市、莱山区、莱阳市、海阳市、蓬莱区、福山区、招远市、芝罘区、栖霞市)

漳州市(云霄县、诏安县、漳浦县、华安县、芗城区、平和县、龙海区、东山县、长泰区、南靖县、龙文区)  荆州市(荆州区、沙市区、洪湖市、江陵县、监利市、石首市、公安县、松滋市)

乐山市(犍为县、市中区、五通桥区、井研县、马边彝族自治县、金口河区、夹江县、沐川县、峨眉山市、沙湾区、峨边彝族自治县)

许昌市(禹州市、魏都区、建安区、长葛市、鄢陵县、襄城县)

南昌市(进贤县、新建区、安义县、西湖区、东湖区、青山湖区、南昌县、红谷滩区、青云谱区)

绥化市(明水县、海伦市、兰西县、安达市、北林区、庆安县、青冈县、绥棱县、肇东市、望奎县)

佳木斯市(抚远市、富锦市、东风区、郊区、桦川县、汤原县、桦南县、向阳区、同江市、前进区)

龙岩市(永定区、漳平市、上杭县、新罗区、连城县、长汀县、武平县)

阿克苏地区(乌什县、阿瓦提县、柯坪县、沙雅县、新和县、温宿县、阿克苏市、拜城县、库车市)

九江市(瑞昌市、庐山市、濂溪区、柴桑区、德安县、共青城市、湖口县、彭泽县、武宁县、修水县、浔阳区、都昌县、永修县)

阜新市(新邱区、太平区、细河区、清河门区、海州区、彰武县、阜新蒙古族自治县)

常德市(安乡县、临澧县、石门县、澧县、汉寿县、鼎城区、武陵区、津市市、桃源县)

十堰市(竹溪县、郧阳区、张湾区、丹江口市、茅箭区、竹山县、房县、郧西县)

黄南藏族自治州(河南蒙古族自治县、泽库县、尖扎县、同仁市)

沧州市(盐山县、孟村回族自治县、新华区、献县、黄骅市、海兴县、东光县、吴桥县、泊头市、运河区、河间市、沧县、任丘市、肃宁县、南皮县、青县)

忻州市(原平市、代县、静乐县、偏关县、五寨县、五台县、神池县、河曲县、宁武县、保德县、忻府区、岢岚县、繁峙县、定襄县)

玉树藏族自治州(治多县、曲麻莱县、称多县、杂多县、囊谦县、玉树市)

广元市(昭化区、剑阁县、利州区、旺苍县、苍溪县、青川县、朝天区)

齐齐哈尔市(龙江县、碾子山区、依安县、昂昂溪区、讷河市、克东县、富裕县、龙沙区、拜泉县、甘南县、铁锋区、泰来县、富拉尔基区、梅里斯达斡尔族区、克山县、建华区)

温州市(瑞安市、瓯海区、苍南县、平阳县、乐清市、龙港市、洞头区、永嘉县、文成县、泰顺县、龙湾区、鹿城区)

北海市(合浦县、铁山港区、海城区、银海区)

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松原市(长岭县、前郭尔罗斯蒙古族自治县、宁江区、乾安县、扶余市)

武汉市(青山区、江夏区、新洲区、汉南区、洪山区、东西湖区、江岸区、蔡甸区、硚口区、江汉区、武昌区、汉阳区、黄陂区)

宁夏回族自治区

大兴安岭地区(塔河县、漠河市、呼玛县)  哈密市(巴里坤哈萨克自治县、伊吾县、伊州区)

黔南布依族苗族自治州(都匀市、瓮安县、贵定县、罗甸县、荔波县、惠水县、独山县、长顺县、平塘县、福泉市、龙里县、三都水族自治县)

阿里地区(改则县、普兰县、噶尔县、日土县、革吉县、措勤县、札达县)

白城市(洮北区、镇赉县、洮南市、大安市、通榆县)承德市(宽城满族自治县、平泉市、滦平县、围场满族蒙古族自治县、隆化县、丰宁满族自治县、双滦区、双桥区、兴隆县、鹰手营子矿区、承德县)

鹤壁市(浚县、山城区、淇滨区、鹤山区、淇县)  鄂州市(鄂城区、梁子湖区、华容区)

兰州市(七里河区、城关区、安宁区、皋兰县、红古区、永登县、西固区、榆中县)

保定市(高阳县、安国市、竞秀区、定州市、博野县、望都县、阜平县、唐县、莲池区、定兴县、容城县、易县、涿州市、涞水县、曲阳县、顺平县、安新县、满城区、徐水区、涞源县、蠡县、雄县、高碑店市、清苑区)

南宁市(青秀区、宾阳县、良庆区、江南区、横州市、武鸣区、兴宁区、马山县、隆安县、上林县、西乡塘区、邕宁区)宿州市(埇桥区、泗县、砀山县、萧县、灵璧县)

塔城地区(塔城市、乌苏市、沙湾市、额敏县、托里县、裕民县、和布克赛尔蒙古自治县)

锦州市(古塔区、太和区、凌河区、义县、北镇市、黑山县、凌海市)

南平市(浦城县、松溪县、光泽县、武夷山市、政和县、邵武市、顺昌县、建阳区、建瓯市、延平区)

漯河市(召陵区、舞阳县、临颍县、源汇区、郾城区)

淮北市(相山区、杜集区、濉溪县、烈山区)

六盘水市(六枝特区、钟山区、水城区、盘州市)

阿勒泰地区(富蕴县、青河县、哈巴河县、阿勒泰市、布尔津县、福海县、吉木乃县)

毕节市(织金县、金沙县、赫章县、大方县、七星关区、纳雍县、威宁彝族回族苗族自治县、黔西市)

张掖市(民乐县、山丹县、肃南裕固族自治县、临泽县、甘州区、高台县)

石嘴山市(惠农区、平罗县、大武口区)

韶关市(乳源瑶族自治县、乐昌市、浈江区、新丰县、南雄市、翁源县、仁化县、曲江区、武江区、始兴县)

潍坊市(潍城区、昌邑市、寒亭区、奎文区、临朐县、青州市、高密市、寿光市、诸城市、安丘市、昌乐县、坊子区)

鄂尔多斯市(东胜区、乌审旗、伊金霍洛旗、准格尔旗、鄂托克旗、鄂托克前旗、达拉特旗、杭锦旗、康巴什区)

衡水市(景县、桃城区、武强县、故城县、深州市、饶阳县、枣强县、武邑县、阜城县、冀州区、安平县)

呼伦贝尔市(满洲里市、陈巴尔虎旗、新巴尔虎右旗、牙克石市、扎赉诺尔区、新巴尔虎左旗、海拉尔区、额尔古纳市、鄂温克族自治旗、扎兰屯市、阿荣旗、莫力达瓦达斡尔族自治旗、鄂伦春自治旗、根河市)

台州市(临海市、天台县、三门县、椒江区、黄岩区、路桥区、温岭市、玉环市、仙居县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。