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阜新市(海州区、新邱区、太平区、细河区、阜新蒙古族自治县、彰武县、清河门区)

怀化市(靖州苗族侗族自治县、通道侗族自治县、辰溪县、鹤城区、沅陵县、中方县、洪江市、溆浦县、会同县、麻阳苗族自治县、新晃侗族自治县、芷江侗族自治县)

遵义市(湄潭县、绥阳县、播州区、余庆县、红花岗区、正安县、务川仡佬族苗族自治县、仁怀市、桐梓县、习水县、凤冈县、赤水市、汇川区、道真仡佬族苗族自治县)

吉林市(昌邑区、桦甸市、丰满区、船营区、永吉县、磐石市、龙潭区、舒兰市、蛟河市)  湛江市(徐闻县、坡头区、吴川市、霞山区、遂溪县、廉江市、麻章区、赤坎区、雷州市)

焦作市(解放区、修武县、马村区、沁阳市、山阳区、博爱县、孟州市、中站区、温县、武陟县)

南宁市(上林县、江南区、邕宁区、西乡塘区、兴宁区、青秀区、武鸣区、马山县、横州市、良庆区、宾阳县、隆安县)

温州市(永嘉县、文成县、乐清市、泰顺县、平阳县、洞头区、瑞安市、龙港市、龙湾区、瓯海区、苍南县、鹿城区)

菏泽市(单县、曹县、郓城县、巨野县、成武县、牡丹区、鄄城县、定陶区、东明县)  巴中市(南江县、恩阳区、平昌县、通江县、巴州区)

湘西土家族苗族自治州(花垣县、保靖县、古丈县、吉首市、凤凰县、龙山县、泸溪县、永顺县)

邵阳市(双清区、武冈市、新邵县、北塔区、洞口县、邵阳县、大祥区、新宁县、绥宁县、城步苗族自治县、隆回县、邵东市)

阳泉市(郊区、盂县、城区、矿区、平定县)

南通市(海安市、通州区、启东市、海门区、如皋市、如东县、崇川区)

平凉市(静宁县、崇信县、华亭市、庄浪县、泾川县、崆峒区、灵台县)

江门市(新会区、蓬江区、台山市、开平市、江海区、恩平市、鹤山市)

双鸭山市(饶河县、尖山区、集贤县、四方台区、宝清县、宝山区、岭东区、友谊县)

钦州市(灵山县、钦北区、钦南区、浦北县)

海西蒙古族藏族自治州(茫崖市、都兰县、德令哈市、格尔木市、天峻县、乌兰县)

延安市(延川县、甘泉县、子长市、安塞区、富县、宝塔区、洛川县、延长县、吴起县、黄陵县、宜川县、黄龙县、志丹县)

衡水市(枣强县、武强县、饶阳县、武邑县、故城县、桃城区、景县、阜城县、深州市、冀州区、安平县)

自贡市(富顺县、大安区、贡井区、自流井区、荣县、沿滩区)

阿里地区(日土县、措勤县、改则县、革吉县、札达县、普兰县、噶尔县)

包头市(固阳县、达尔罕茂明安联合旗、东河区、昆都仑区、土默特右旗、九原区、白云鄂博矿区、石拐区、青山区)

丽江市(玉龙纳西族自治县、宁蒗彝族自治县、古城区、永胜县、华坪县)

遂宁市(射洪市、安居区、蓬溪县、大英县、船山区)

宿州市(砀山县、萧县、灵璧县、泗县、埇桥区)

烟台市(牟平区、蓬莱区、海阳市、龙口市、莱山区、福山区、莱阳市、招远市、芝罘区、栖霞市、莱州市)

拉萨市(城关区、墨竹工卡县、堆龙德庆区、尼木县、林周县、曲水县、达孜区、当雄县)

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宣城市(广德市、宣州区、绩溪县、宁国市、旌德县、泾县、郎溪县)

七台河市(桃山区、新兴区、茄子河区、勃利县)

永州市(东安县、江永县、道县、蓝山县、新田县、祁阳市、双牌县、江华瑶族自治县、冷水滩区、宁远县、零陵区)

庆阳市(宁县、庆城县、正宁县、镇原县、环县、华池县、合水县、西峰区)  郑州市(新郑市、上街区、新密市、管城回族区、中牟县、巩义市、二七区、中原区、荥阳市、登封市、金水区、惠济区)

黄石市(铁山区、阳新县、下陆区、大冶市、黄石港区、西塞山区)

泰安市(泰山区、肥城市、东平县、新泰市、宁阳县、岱岳区)

辽阳市(辽阳县、宏伟区、弓长岭区、灯塔市、文圣区、太子河区、白塔区)昌都市(八宿县、卡若区、类乌齐县、贡觉县、察雅县、左贡县、丁青县、洛隆县、江达县、芒康县、边坝县)

朔州市(平鲁区、怀仁市、山阴县、朔城区、右玉县、应县)  鄂尔多斯市(乌审旗、东胜区、伊金霍洛旗、鄂托克旗、康巴什区、准格尔旗、杭锦旗、鄂托克前旗、达拉特旗)

克拉玛依市(乌尔禾区、白碱滩区、独山子区、克拉玛依区)

济宁市(鱼台县、嘉祥县、曲阜市、梁山县、兖州区、金乡县、微山县、泗水县、邹城市、任城区、汶上县)

武汉市(汉南区、新洲区、东西湖区、汉阳区、硚口区、黄陂区、江岸区、洪山区、武昌区、江夏区、蔡甸区、江汉区、青山区)孝感市(孝昌县、孝南区、云梦县、大悟县、汉川市、安陆市、应城市)

赣州市(龙南市、石城县、上犹县、全南县、寻乌县、瑞金市、赣县区、章贡区、定南县、兴国县、南康区、信丰县、大余县、会昌县、于都县、安远县、崇义县、宁都县)

大理白族自治州(洱源县、鹤庆县、永平县、漾濞彝族自治县、大理市、云龙县、剑川县、南涧彝族自治县、祥云县、巍山彝族回族自治县、弥渡县、宾川县)

吕梁市(方山县、交城县、交口县、石楼县、孝义市、柳林县、兴县、临县、汾阳市、文水县、岚县、离石区、中阳县)

衡阳市(南岳区、蒸湘区、祁东县、衡东县、常宁市、雁峰区、衡山县、珠晖区、衡阳县、耒阳市、衡南县、石鼓区)

南充市(嘉陵区、营山县、蓬安县、仪陇县、南部县、高坪区、西充县、阆中市、顺庆区)

衢州市(衢江区、柯城区、龙游县、常山县、江山市、开化县)

厦门市(翔安区、湖里区、同安区、集美区、海沧区、思明区)

雅安市(荥经县、雨城区、名山区、宝兴县、石棉县、芦山县、天全县、汉源县)

丽水市(云和县、缙云县、景宁畲族自治县、莲都区、松阳县、庆元县、青田县、遂昌县、龙泉市)

儋州市

淮北市(烈山区、相山区、杜集区、濉溪县)

北海市(合浦县、铁山港区、海城区、银海区)

嘉兴市(嘉善县、桐乡市、南湖区、平湖市、海宁市、海盐县、秀洲区)

日喀则市(萨嘎县、仲巴县、定日县、江孜县、聂拉木县、岗巴县、定结县、仁布县、白朗县、吉隆县、南木林县、康马县、拉孜县、谢通门县、桑珠孜区、亚东县、萨迦县、昂仁县)

锡林郭勒盟(东乌珠穆沁旗、镶黄旗、正镶白旗、西乌珠穆沁旗、二连浩特市、苏尼特右旗、苏尼特左旗、正蓝旗、阿巴嘎旗、锡林浩特市、太仆寺旗、多伦县)

唐山市(丰润区、古冶区、曹妃甸区、迁西县、滦州市、开平区、路北区、遵化市、玉田县、丰南区、路南区、滦南县、乐亭县、迁安市)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。