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三沙市(南沙区、西沙区)

荆门市(钟祥市、京山市、掇刀区、沙洋县、东宝区)

石嘴山市(大武口区、惠农区、平罗县)

焦作市(山阳区、马村区、中站区、孟州市、武陟县、解放区、沁阳市、温县、修武县、博爱县)  阿坝藏族羌族自治州(黑水县、阿坝县、汶川县、红原县、小金县、松潘县、若尔盖县、九寨沟县、金川县、茂县、马尔康市、理县、壤塘县)

鹤岗市(萝北县、工农区、东山区、南山区、绥滨县、向阳区、兴安区、兴山区)

天水市(武山县、秦州区、张家川回族自治县、秦安县、甘谷县、清水县、麦积区)

迪庆藏族自治州(香格里拉市、维西傈僳族自治县、德钦县)丹东市(元宝区、东港市、凤城市、宽甸满族自治县、振安区、振兴区)

扬州市(高邮市、广陵区、江都区、邗江区、仪征市、宝应县)  阜新市(阜新蒙古族自治县、清河门区、彰武县、海州区、新邱区、太平区、细河区)

吉林市(蛟河市、昌邑区、磐石市、船营区、龙潭区、丰满区、舒兰市、永吉县、桦甸市)

巴音郭楞蒙古自治州(和硕县、轮台县、若羌县、博湖县、且末县、尉犁县、库尔勒市、焉耆回族自治县、和静县)

惠州市(博罗县、惠阳区、惠城区、惠东县、龙门县)

海北藏族自治州(海晏县、祁连县、刚察县、门源回族自治县)

酒泉市(肃州区、玉门市、金塔县、阿克塞哈萨克族自治县、敦煌市、瓜州县、肃北蒙古族自治县)

仙桃市(天门市、神农架林区、潜江市)

铜川市(印台区、耀州区、宜君县、王益区)

张家口市(崇礼区、涿鹿县、万全区、下花园区、赤城县、阳原县、宣化区、康保县、桥东区、张北县、怀来县、怀安县、桥西区、沽源县、尚义县、蔚县)

赣州市(兴国县、宁都县、龙南市、会昌县、章贡区、赣县区、信丰县、定南县、于都县、南康区、安远县、全南县、石城县、大余县、瑞金市、寻乌县、崇义县、上犹县)

玉树藏族自治州(囊谦县、杂多县、曲麻莱县、玉树市、治多县、称多县)

萍乡市(上栗县、安源区、湘东区、芦溪县、莲花县)

达州市(通川区、万源市、开江县、宣汉县、渠县、达川区、大竹县)

海西蒙古族藏族自治州(德令哈市、格尔木市、都兰县、天峻县、乌兰县、茫崖市)

五指山市(万宁市、东方市、陵水黎族自治县、昌江黎族自治县、屯昌县、琼海市、乐东黎族自治县、定安县、文昌市、澄迈县、琼中黎族苗族自治县、临高县、白沙黎族自治县、保亭黎族苗族自治县)

呼伦贝尔市(海拉尔区、鄂伦春自治旗、扎赉诺尔区、阿荣旗、额尔古纳市、扎兰屯市、陈巴尔虎旗、新巴尔虎左旗、满洲里市、莫力达瓦达斡尔族自治旗、牙克石市、新巴尔虎右旗、根河市、鄂温克族自治旗)

黄山市(黟县、休宁县、黄山区、祁门县、徽州区、屯溪区、歙县)

济源市

博尔塔拉蒙古自治州(温泉县、博乐市、阿拉山口市、精河县)

巴彦淖尔市(五原县、临河区、杭锦后旗、乌拉特后旗、磴口县、乌拉特中旗、乌拉特前旗)

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衡阳市(雁峰区、蒸湘区、衡东县、常宁市、耒阳市、衡山县、衡阳县、石鼓区、祁东县、衡南县、南岳区、珠晖区)

红河哈尼族彝族自治州(红河县、开远市、元阳县、蒙自市、个旧市、金平苗族瑶族傣族自治县、屏边苗族自治县、绿春县、泸西县、河口瑶族自治县、石屏县、建水县、弥勒市)

晋中市(灵石县、寿阳县、榆社县、介休市、昔阳县、榆次区、左权县、和顺县、太谷区、平遥县、祁县)

娄底市(双峰县、新化县、娄星区、涟源市、冷水江市)  辽阳市(白塔区、文圣区、辽阳县、灯塔市、宏伟区、太子河区、弓长岭区)

嘉峪关市

梧州市(龙圩区、蒙山县、长洲区、岑溪市、苍梧县、藤县、万秀区)

莆田市(城厢区、荔城区、秀屿区、涵江区、仙游县)保定市(竞秀区、顺平县、雄县、满城区、阜平县、定州市、望都县、徐水区、曲阳县、安国市、涿州市、高阳县、涞源县、蠡县、高碑店市、易县、安新县、博野县、定兴县、涞水县、唐县、容城县、清苑区、莲池区)

宿州市(萧县、灵璧县、埇桥区、砀山县、泗县)  澳门特别行政区

枣庄市(台儿庄区、薛城区、峄城区、滕州市、山亭区、市中区)

昆明市(宜良县、富民县、嵩明县、晋宁区、石林彝族自治县、西山区、盘龙区、五华区、官渡区、安宁市、呈贡区、寻甸回族彝族自治县、东川区、禄劝彝族苗族自治县)

东莞市南京市(江宁区、高淳区、鼓楼区、六合区、溧水区、建邺区、浦口区、秦淮区、栖霞区、玄武区、雨花台区)

湘潭市(湘乡市、岳塘区、雨湖区、湘潭县、韶山市)

阿克苏地区(温宿县、阿克苏市、沙雅县、新和县、乌什县、库车市、阿瓦提县、拜城县、柯坪县)

滨州市(惠民县、无棣县、邹平市、滨城区、阳信县、沾化区、博兴县)

衢州市(江山市、衢江区、柯城区、开化县、龙游县、常山县)

镇江市(丹阳市、京口区、扬中市、润州区、句容市、丹徒区)

唐山市(迁西县、丰润区、滦南县、曹妃甸区、玉田县、丰南区、古冶区、开平区、遵化市、路北区、路南区、滦州市、迁安市、乐亭县)

庆阳市(华池县、宁县、镇原县、正宁县、合水县、环县、庆城县、西峰区)

柳州市(柳北区、三江侗族自治县、融水苗族自治县、柳江区、鹿寨县、城中区、柳南区、鱼峰区、融安县、柳城县)

六安市(霍山县、金安区、金寨县、霍邱县、裕安区、舒城县、叶集区)

包头市(固阳县、青山区、土默特右旗、东河区、白云鄂博矿区、石拐区、昆都仑区、九原区、达尔罕茂明安联合旗)

杭州市(临安区、拱墅区、桐庐县、钱塘区、富阳区、建德市、余杭区、萧山区、临平区、滨江区、上城区、淳安县、西湖区)

雅安市(汉源县、雨城区、名山区、石棉县、芦山县、荥经县、天全县、宝兴县)

西双版纳傣族自治州(勐腊县、景洪市、勐海县)

三门峡市(陕州区、义马市、渑池县、灵宝市、卢氏县、湖滨区)

沈阳市(沈北新区、和平区、康平县、苏家屯区、铁西区、皇姑区、浑南区、大东区、沈河区、辽中区、法库县、新民市、于洪区)

常德市(桃源县、津市市、石门县、安乡县、鼎城区、澧县、汉寿县、武陵区、临澧县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。