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阳江市(阳春市、阳东区、阳西县、江城区)

通辽市(科尔沁区、科尔沁左翼中旗、库伦旗、科尔沁左翼后旗、奈曼旗、开鲁县、霍林郭勒市、扎鲁特旗)

沈阳市(法库县、新民市、大东区、沈北新区、辽中区、苏家屯区、浑南区、沈河区、和平区、皇姑区、于洪区、康平县、铁西区)

丽江市(玉龙纳西族自治县、华坪县、宁蒗彝族自治县、永胜县、古城区)  西宁市(湟源县、大通回族土族自治县、城中区、湟中区、城北区、城东区、城西区)

黔南布依族苗族自治州(都匀市、独山县、贵定县、罗甸县、龙里县、荔波县、惠水县、瓮安县、平塘县、福泉市、三都水族自治县、长顺县)

台州市(玉环市、黄岩区、椒江区、仙居县、路桥区、临海市、三门县、天台县、温岭市)

兰州市(安宁区、七里河区、榆中县、永登县、皋兰县、西固区、红古区、城关区)牡丹江市(东安区、穆棱市、海林市、阳明区、爱民区、宁安市、绥芬河市、西安区、林口县、东宁市)

沧州市(河间市、新华区、南皮县、海兴县、任丘市、泊头市、青县、孟村回族自治县、献县、东光县、肃宁县、运河区、沧县、黄骅市、吴桥县、盐山县)  六安市(霍邱县、金安区、裕安区、金寨县、舒城县、霍山县、叶集区)

德宏傣族景颇族自治州(芒市、梁河县、盈江县、瑞丽市、陇川县)

绥化市(安达市、青冈县、望奎县、绥棱县、庆安县、海伦市、北林区、明水县、肇东市、兰西县)

铜陵市(郊区、枞阳县、铜官区、义安区)

塔城地区(乌苏市、沙湾市、和布克赛尔蒙古自治县、裕民县、额敏县、托里县、塔城市)

长春市(公主岭市、绿园区、双阳区、南关区、德惠市、朝阳区、榆树市、农安县、二道区、九台区、宽城区)

铁岭市(开原市、铁岭县、调兵山市、清河区、昌图县、西丰县、银州区)

海南藏族自治州(兴海县、贵德县、同德县、共和县、贵南县)

博尔塔拉蒙古自治州(阿拉山口市、精河县、博乐市、温泉县)

大同市(天镇县、浑源县、新荣区、灵丘县、云冈区、左云县、广灵县、云州区、平城区、阳高县)

海西蒙古族藏族自治州(德令哈市、都兰县、乌兰县、天峻县、茫崖市、格尔木市)

松原市(扶余市、宁江区、长岭县、前郭尔罗斯蒙古族自治县、乾安县)

揭阳市(揭西县、惠来县、榕城区、揭东区、普宁市)

邢台市(信都区、宁晋县、平乡县、清河县、内丘县、南和区、广宗县、沙河市、襄都区、威县、临西县、临城县、隆尧县、南宫市、柏乡县、任泽区、新河县、巨鹿县)

阿坝藏族羌族自治州(茂县、壤塘县、红原县、若尔盖县、金川县、马尔康市、松潘县、小金县、黑水县、汶川县、理县、阿坝县、九寨沟县)

伊犁哈萨克自治州(奎屯市、察布查尔锡伯自治县、新源县、伊宁市、霍尔果斯市、特克斯县、尼勒克县、巩留县、霍城县、昭苏县、伊宁县)

三沙市(西沙区、南沙区)

宿州市(泗县、灵璧县、砀山县、萧县、埇桥区)

赣州市(寻乌县、崇义县、宁都县、安远县、于都县、兴国县、全南县、大余县、瑞金市、赣县区、信丰县、石城县、上犹县、南康区、章贡区、定南县、龙南市、会昌县)

巴中市(通江县、恩阳区、平昌县、南江县、巴州区)

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益阳市(安化县、资阳区、桃江县、沅江市、赫山区、南县)

双鸭山市(友谊县、饶河县、宝清县、四方台区、岭东区、集贤县、宝山区、尖山区)

珠海市(香洲区、金湾区、斗门区)

黄冈市(武穴市、罗田县、浠水县、黄梅县、红安县、麻城市、英山县、蕲春县、团风县、黄州区)  凉山彝族自治州(昭觉县、甘洛县、冕宁县、西昌市、雷波县、宁南县、会东县、盐源县、喜德县、布拖县、越西县、美姑县、德昌县、普格县、金阳县、会理市、木里藏族自治县)

阿拉善盟(阿拉善左旗、额济纳旗、阿拉善右旗)

泉州市(泉港区、丰泽区、南安市、鲤城区、晋江市、永春县、金门县、石狮市、惠安县、安溪县、洛江区、德化县)

五指山市(临高县、乐东黎族自治县、琼海市、文昌市、保亭黎族苗族自治县、万宁市、屯昌县、澄迈县、昌江黎族自治县、东方市、琼中黎族苗族自治县、白沙黎族自治县、陵水黎族自治县、定安县)嘉峪关市

衢州市(柯城区、江山市、衢江区、常山县、龙游县、开化县)  荆门市(东宝区、京山市、掇刀区、钟祥市、沙洋县)

定西市(陇西县、渭源县、安定区、临洮县、通渭县、漳县、岷县)

眉山市(丹棱县、洪雅县、东坡区、仁寿县、彭山区、青神县)

衡阳市(衡阳县、雁峰区、祁东县、珠晖区、蒸湘区、衡山县、南岳区、耒阳市、衡南县、衡东县、石鼓区、常宁市)鹤壁市(浚县、淇滨区、鹤山区、山城区、淇县)

平顶山市(叶县、宝丰县、新华区、郏县、舞钢市、卫东区、汝州市、鲁山县、石龙区、湛河区)

安庆市(宿松县、桐城市、大观区、太湖县、潜山市、岳西县、宜秀区、迎江区、望江县、怀宁县)

绍兴市(嵊州市、上虞区、诸暨市、越城区、柯桥区、新昌县)

克孜勒苏柯尔克孜自治州(阿合奇县、阿克陶县、乌恰县、阿图什市)

曲靖市(罗平县、沾益区、宣威市、马龙区、会泽县、陆良县、师宗县、富源县、麒麟区)

宿迁市(泗洪县、宿豫区、沭阳县、宿城区、泗阳县)

澳门特别行政区

焦作市(中站区、孟州市、马村区、博爱县、温县、武陟县、沁阳市、修武县、山阳区、解放区)

杭州市(临安区、余杭区、西湖区、临平区、滨江区、富阳区、建德市、钱塘区、拱墅区、萧山区、淳安县、桐庐县、上城区)

日喀则市(昂仁县、岗巴县、萨嘎县、聂拉木县、定结县、拉孜县、仁布县、江孜县、定日县、南木林县、康马县、谢通门县、桑珠孜区、仲巴县、亚东县、吉隆县、白朗县、萨迦县)

十堰市(竹溪县、郧阳区、张湾区、竹山县、郧西县、房县、茅箭区、丹江口市)

日照市(五莲县、莒县、岚山区、东港区)

吴忠市(利通区、盐池县、同心县、红寺堡区、青铜峡市)

佳木斯市(桦川县、抚远市、郊区、同江市、汤原县、前进区、富锦市、向阳区、桦南县、东风区)

本溪市(南芬区、平山区、明山区、本溪满族自治县、溪湖区、桓仁满族自治县)

文山壮族苗族自治州(广南县、西畴县、文山市、富宁县、丘北县、砚山县、马关县、麻栗坡县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。