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阿勒泰地区(阿勒泰市、吉木乃县、哈巴河县、青河县、福海县、布尔津县、富蕴县)

汉中市(西乡县、镇巴县、略阳县、宁强县、汉台区、佛坪县、城固县、洋县、南郑区、留坝县、勉县)

沈阳市(铁西区、新民市、法库县、辽中区、苏家屯区、皇姑区、大东区、和平区、沈北新区、康平县、浑南区、沈河区、于洪区)

儋州市  黔西南布依族苗族自治州(晴隆县、兴义市、兴仁市、贞丰县、册亨县、安龙县、望谟县、普安县)

佛山市(顺德区、三水区、禅城区、高明区、南海区)

邯郸市(武安市、广平县、肥乡区、复兴区、临漳县、邱县、馆陶县、涉县、永年区、峰峰矿区、邯山区、磁县、大名县、曲周县、成安县、魏县、鸡泽县、丛台区)

阿坝藏族羌族自治州(茂县、九寨沟县、汶川县、金川县、松潘县、小金县、壤塘县、阿坝县、理县、红原县、黑水县、马尔康市、若尔盖县)

湘潭市(韶山市、岳塘区、湘乡市、湘潭县、雨湖区)  湛江市(吴川市、坡头区、霞山区、廉江市、徐闻县、麻章区、雷州市、赤坎区、遂溪县)

乌兰察布市(察哈尔右翼中旗、商都县、察哈尔右翼前旗、凉城县、卓资县、化德县、察哈尔右翼后旗、集宁区、四子王旗、兴和县、丰镇市)

玉溪市(元江哈尼族彝族傣族自治县、新平彝族傣族自治县、通海县、易门县、江川区、红塔区、峨山彝族自治县、华宁县、澄江市)

晋城市(城区、阳城县、沁水县、陵川县、高平市、泽州县)

庆阳市(宁县、环县、华池县、庆城县、西峰区、合水县、正宁县、镇原县)

金昌市(永昌县、金川区)

西安市(雁塔区、长安区、未央区、灞桥区、高陵区、鄠邑区、临潼区、周至县、蓝田县、碑林区、新城区、莲湖区、阎良区)

安顺市(西秀区、紫云苗族布依族自治县、关岭布依族苗族自治县、镇宁布依族苗族自治县、平坝区、普定县)

绥化市(绥棱县、海伦市、北林区、青冈县、兰西县、望奎县、肇东市、安达市、明水县、庆安县)

六盘水市(水城区、六枝特区、盘州市、钟山区)

海北藏族自治州(祁连县、海晏县、刚察县、门源回族自治县)

青岛市(平度市、即墨区、市北区、市南区、胶州市、李沧区、城阳区、黄岛区、莱西市、崂山区)

厦门市(集美区、思明区、翔安区、湖里区、同安区、海沧区)

苏州市(吴中区、吴江区、姑苏区、昆山市、相城区、张家港市、常熟市、虎丘区、太仓市)

桂林市(临桂区、灌阳县、秀峰区、灵川县、平乐县、永福县、荔浦市、阳朔县、雁山区、龙胜各族自治县、七星区、象山区、兴安县、叠彩区、全州县、资源县、恭城瑶族自治县)

巴彦淖尔市(乌拉特中旗、五原县、杭锦后旗、临河区、磴口县、乌拉特前旗、乌拉特后旗)

烟台市(福山区、芝罘区、蓬莱区、莱山区、栖霞市、龙口市、招远市、海阳市、莱州市、牟平区、莱阳市)

毕节市(金沙县、赫章县、七星关区、织金县、纳雍县、威宁彝族回族苗族自治县、大方县、黔西市)

中山市

益阳市(南县、桃江县、安化县、沅江市、赫山区、资阳区)

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五指山市(澄迈县、临高县、琼海市、定安县、乐东黎族自治县、屯昌县、昌江黎族自治县、陵水黎族自治县、保亭黎族苗族自治县、琼中黎族苗族自治县、白沙黎族自治县、东方市、文昌市、万宁市)

东莞市

商洛市(柞水县、洛南县、山阳县、商州区、镇安县、丹凤县、商南县)

北海市(铁山港区、海城区、银海区、合浦县)  海西蒙古族藏族自治州(茫崖市、乌兰县、格尔木市、德令哈市、都兰县、天峻县)

长春市(双阳区、九台区、公主岭市、宽城区、德惠市、榆树市、绿园区、二道区、农安县、南关区、朝阳区)

舟山市(岱山县、普陀区、定海区、嵊泗县)

宝鸡市(凤县、眉县、麟游县、金台区、岐山县、陇县、扶风县、渭滨区、太白县、陈仓区、凤翔区、千阳县)新乡市(封丘县、原阳县、凤泉区、长垣市、新乡县、卫辉市、获嘉县、延津县、牧野区、红旗区、卫滨区、辉县市)

普洱市(孟连傣族拉祜族佤族自治县、景东彝族自治县、澜沧拉祜族自治县、墨江哈尼族自治县、思茅区、镇沅彝族哈尼族拉祜族自治县、西盟佤族自治县、宁洱哈尼族彝族自治县、江城哈尼族彝族自治县、景谷傣族彝族自治县)  四平市(梨树县、铁西区、铁东区、伊通满族自治县、双辽市)

阜阳市(阜南县、界首市、颍泉区、颍上县、颍州区、颍东区、临泉县、太和县)

迪庆藏族自治州(德钦县、香格里拉市、维西傈僳族自治县)

防城港市(东兴市、港口区、上思县、防城区)张掖市(高台县、临泽县、甘州区、肃南裕固族自治县、山丹县、民乐县)

新疆维吾尔自治区

武汉市(汉阳区、新洲区、蔡甸区、硚口区、江夏区、江汉区、汉南区、青山区、黄陂区、洪山区、武昌区、东西湖区、江岸区)

日照市(五莲县、东港区、莒县、岚山区)

滁州市(天长市、凤阳县、南谯区、来安县、定远县、明光市、琅琊区、全椒县)

张家口市(尚义县、万全区、怀来县、桥西区、阳原县、赤城县、下花园区、宣化区、沽源县、涿鹿县、崇礼区、桥东区、康保县、蔚县、怀安县、张北县)

三门峡市(卢氏县、灵宝市、渑池县、陕州区、湖滨区、义马市)

恩施土家族苗族自治州(鹤峰县、咸丰县、来凤县、恩施市、建始县、巴东县、宣恩县、利川市)

和田地区(洛浦县、于田县、皮山县、民丰县、和田县、和田市、策勒县、墨玉县)

德阳市(旌阳区、中江县、罗江区、什邡市、广汉市、绵竹市)

盐城市(盐都区、亭湖区、建湖县、东台市、响水县、大丰区、射阳县、阜宁县、滨海县)

西藏自治区

锦州市(太和区、黑山县、北镇市、凌河区、凌海市、义县、古塔区)

台州市(椒江区、路桥区、玉环市、温岭市、黄岩区、三门县、仙居县、临海市、天台县)

乐山市(井研县、市中区、峨眉山市、沙湾区、五通桥区、马边彝族自治县、犍为县、金口河区、峨边彝族自治县、夹江县、沐川县)

枣庄市(山亭区、峄城区、薛城区、滕州市、台儿庄区、市中区)

来宾市(合山市、象州县、兴宾区、金秀瑶族自治县、忻城县、武宣县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。