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商丘市(睢阳区、民权县、睢县、永城市、柘城县、夏邑县、虞城县、梁园区、宁陵县)

巴中市(平昌县、通江县、恩阳区、南江县、巴州区)

曲靖市(麒麟区、宣威市、富源县、会泽县、马龙区、师宗县、罗平县、陆良县、沾益区)

佛山市(南海区、高明区、禅城区、三水区、顺德区)  连云港市(灌云县、海州区、东海县、赣榆区、连云区、灌南县)

台州市(仙居县、路桥区、椒江区、温岭市、天台县、临海市、黄岩区、三门县、玉环市)

宜昌市(猇亭区、五峰土家族自治县、远安县、伍家岗区、兴山县、宜都市、秭归县、点军区、夷陵区、当阳市、长阳土家族自治县、西陵区、枝江市)

龙岩市(上杭县、武平县、永定区、长汀县、新罗区、漳平市、连城县)

上饶市(广丰区、余干县、德兴市、铅山县、鄱阳县、信州区、玉山县、广信区、婺源县、横峰县、万年县、弋阳县)  平凉市(泾川县、华亭市、庄浪县、静宁县、崇信县、崆峒区、灵台县)

嘉兴市(嘉善县、平湖市、秀洲区、海宁市、桐乡市、海盐县、南湖区)

新乡市(原阳县、延津县、凤泉区、红旗区、长垣市、卫滨区、卫辉市、牧野区、获嘉县、新乡县、辉县市、封丘县)

恩施土家族苗族自治州(恩施市、来凤县、利川市、咸丰县、宣恩县、鹤峰县、巴东县、建始县)

惠州市(惠阳区、惠城区、龙门县、博罗县、惠东县)

阳江市(阳春市、阳东区、阳西县、江城区)

丽江市(宁蒗彝族自治县、永胜县、古城区、玉龙纳西族自治县、华坪县)

咸阳市(渭城区、彬州市、长武县、杨陵区、兴平市、武功县、秦都区、礼泉县、永寿县、泾阳县、三原县、旬邑县、乾县、淳化县)

中山市

宁波市(鄞州区、江北区、镇海区、奉化区、余姚市、宁海县、海曙区、象山县、北仑区、慈溪市)

齐齐哈尔市(泰来县、富拉尔基区、梅里斯达斡尔族区、龙江县、铁锋区、昂昂溪区、克东县、碾子山区、拜泉县、建华区、依安县、富裕县、讷河市、甘南县、克山县、龙沙区)

晋城市(高平市、阳城县、沁水县、陵川县、泽州县、城区)

镇江市(京口区、丹徒区、扬中市、丹阳市、润州区、句容市)

淮北市(杜集区、相山区、濉溪县、烈山区)

湘西土家族苗族自治州(吉首市、龙山县、保靖县、古丈县、花垣县、泸溪县、凤凰县、永顺县)

济南市(济阳区、长清区、商河县、天桥区、历下区、历城区、章丘区、钢城区、平阴县、莱芜区、槐荫区、市中区)

阜新市(彰武县、新邱区、海州区、细河区、太平区、阜新蒙古族自治县、清河门区)

德阳市(什邡市、旌阳区、绵竹市、广汉市、中江县、罗江区)

渭南市(蒲城县、华州区、华阴市、白水县、韩城市、合阳县、潼关县、澄城县、富平县、临渭区、大荔县)

日喀则市(拉孜县、萨迦县、吉隆县、江孜县、谢通门县、亚东县、萨嘎县、定结县、白朗县、昂仁县、桑珠孜区、康马县、仁布县、定日县、岗巴县、南木林县、仲巴县、聂拉木县)

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黄山市(祁门县、黄山区、屯溪区、徽州区、黟县、休宁县、歙县)

西宁市(大通回族土族自治县、城西区、城中区、湟源县、湟中区、城北区、城东区)

遵义市(汇川区、赤水市、习水县、桐梓县、红花岗区、仁怀市、播州区、道真仡佬族苗族自治县、凤冈县、正安县、湄潭县、务川仡佬族苗族自治县、余庆县、绥阳县)

兰州市(安宁区、七里河区、城关区、永登县、红古区、西固区、皋兰县、榆中县)  克拉玛依市(白碱滩区、独山子区、乌尔禾区、克拉玛依区)

三亚市(崖州区、海棠区、吉阳区、天涯区)

澳门特别行政区

随州市(曾都区、随县、广水市)博尔塔拉蒙古自治州(精河县、温泉县、阿拉山口市、博乐市)

邵阳市(隆回县、洞口县、邵东市、城步苗族自治县、绥宁县、新宁县、邵阳县、新邵县、双清区、大祥区、北塔区、武冈市)  阿坝藏族羌族自治州(茂县、若尔盖县、红原县、小金县、黑水县、松潘县、理县、壤塘县、金川县、阿坝县、马尔康市、汶川县、九寨沟县)

秦皇岛市(北戴河区、抚宁区、卢龙县、青龙满族自治县、山海关区、海港区、昌黎县)

大同市(云冈区、新荣区、浑源县、云州区、左云县、阳高县、灵丘县、广灵县、天镇县、平城区)

滨州市(沾化区、博兴县、邹平市、滨城区、阳信县、惠民县、无棣县)南京市(鼓楼区、建邺区、江宁区、溧水区、雨花台区、秦淮区、栖霞区、玄武区、浦口区、六合区、高淳区)

九江市(共青城市、湖口县、德安县、永修县、都昌县、浔阳区、彭泽县、武宁县、修水县、濂溪区、庐山市、柴桑区、瑞昌市)

铜陵市(义安区、枞阳县、郊区、铜官区)

湖州市(德清县、南浔区、吴兴区、安吉县、长兴县)

南充市(仪陇县、顺庆区、营山县、阆中市、嘉陵区、西充县、南部县、蓬安县、高坪区)

伊犁哈萨克自治州(察布查尔锡伯自治县、特克斯县、巩留县、尼勒克县、伊宁市、霍城县、伊宁县、新源县、霍尔果斯市、昭苏县、奎屯市)

长治市(沁县、长子县、屯留区、壶关县、武乡县、上党区、潞州区、沁源县、平顺县、黎城县、潞城区、襄垣县)

宿迁市(宿豫区、泗洪县、宿城区、沭阳县、泗阳县)

吕梁市(石楼县、方山县、汾阳市、孝义市、交口县、中阳县、交城县、兴县、柳林县、岚县、离石区、临县、文水县)

肇庆市(高要区、四会市、怀集县、封开县、广宁县、端州区、鼎湖区、德庆县)

茂名市(茂南区、电白区、化州市、高州市、信宜市)

白银市(会宁县、景泰县、平川区、靖远县、白银区)

盐城市(盐都区、大丰区、建湖县、亭湖区、射阳县、响水县、东台市、滨海县、阜宁县)

昆明市(富民县、西山区、盘龙区、东川区、安宁市、寻甸回族彝族自治县、嵩明县、石林彝族自治县、官渡区、晋宁区、禄劝彝族苗族自治县、宜良县、呈贡区、五华区)

张掖市(山丹县、高台县、肃南裕固族自治县、民乐县、临泽县、甘州区)

运城市(闻喜县、垣曲县、芮城县、新绛县、河津市、平陆县、稷山县、盐湖区、绛县、临猗县、夏县、永济市、万荣县)

常州市(溧阳市、武进区、新北区、金坛区、天宁区、钟楼区)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。