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荆门市(京山市、东宝区、沙洋县、钟祥市、掇刀区)

锡林郭勒盟(二连浩特市、东乌珠穆沁旗、镶黄旗、正蓝旗、阿巴嘎旗、苏尼特右旗、苏尼特左旗、西乌珠穆沁旗、锡林浩特市、多伦县、太仆寺旗、正镶白旗)

随州市(随县、曾都区、广水市)

山南市(洛扎县、隆子县、错那市、琼结县、曲松县、桑日县、贡嘎县、扎囊县、乃东区、措美县、加查县、浪卡子县)  儋州市

大同市(灵丘县、天镇县、云冈区、左云县、浑源县、广灵县、平城区、新荣区、云州区、阳高县)

巴彦淖尔市(临河区、乌拉特后旗、乌拉特前旗、五原县、磴口县、乌拉特中旗、杭锦后旗)

兴安盟(扎赉特旗、科尔沁右翼中旗、阿尔山市、乌兰浩特市、科尔沁右翼前旗、突泉县)

伊春市(汤旺县、南岔县、嘉荫县、伊美区、金林区、丰林县、乌翠区、大箐山县、铁力市、友好区)  朝阳市(凌源市、双塔区、北票市、喀喇沁左翼蒙古族自治县、龙城区、建平县、朝阳县)

衢州市(常山县、柯城区、衢江区、开化县、江山市、龙游县)

锦州市(凌河区、太和区、古塔区、义县、凌海市、北镇市、黑山县)

唐山市(玉田县、曹妃甸区、开平区、遵化市、路北区、路南区、丰南区、滦南县、迁西县、迁安市、丰润区、古冶区、滦州市、乐亭县)

天津市(红桥区、和平区、河东区、津南区、宁河区、河西区、西青区、滨海新区、东丽区、南开区、河北区、静海区、宝坻区、蓟州区、北辰区、武清区)

吕梁市(文水县、岚县、兴县、石楼县、孝义市、中阳县、交城县、临县、离石区、交口县、汾阳市、方山县、柳林县)

资阳市(雁江区、安岳县、乐至县)

榆林市(吴堡县、横山区、米脂县、子洲县、靖边县、榆阳区、佳县、府谷县、神木市、定边县、清涧县、绥德县)

五指山市(澄迈县、万宁市、临高县、陵水黎族自治县、文昌市、琼海市、琼中黎族苗族自治县、白沙黎族自治县、乐东黎族自治县、昌江黎族自治县、保亭黎族苗族自治县、屯昌县、定安县、东方市)

济南市(钢城区、历城区、长清区、莱芜区、历下区、市中区、济阳区、槐荫区、章丘区、商河县、天桥区、平阴县)

宜昌市(远安县、猇亭区、长阳土家族自治县、宜都市、枝江市、五峰土家族自治县、点军区、秭归县、当阳市、伍家岗区、夷陵区、兴山县、西陵区)

鄂州市(鄂城区、华容区、梁子湖区)

吉林市(龙潭区、磐石市、船营区、桦甸市、丰满区、蛟河市、永吉县、舒兰市、昌邑区)

三明市(将乐县、沙县区、建宁县、大田县、明溪县、清流县、泰宁县、宁化县、三元区、永安市、尤溪县)

延边朝鲜族自治州(珲春市、和龙市、延吉市、图们市、敦化市、汪清县、龙井市、安图县)

盘锦市(双台子区、大洼区、兴隆台区、盘山县)

本溪市(溪湖区、南芬区、明山区、本溪满族自治县、平山区、桓仁满族自治县)

喀什地区(英吉沙县、疏附县、巴楚县、喀什市、岳普湖县、伽师县、莎车县、麦盖提县、泽普县、叶城县、疏勒县、塔什库尔干塔吉克自治县)

晋中市(太谷区、祁县、寿阳县、平遥县、介休市、昔阳县、榆次区、榆社县、灵石县、左权县、和顺县)

连云港市(赣榆区、东海县、灌云县、连云区、灌南县、海州区)

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克拉玛依市(独山子区、乌尔禾区、克拉玛依区、白碱滩区)

青岛市(市南区、黄岛区、市北区、莱西市、胶州市、即墨区、城阳区、平度市、李沧区、崂山区)

白城市(大安市、洮北区、洮南市、镇赉县、通榆县)

淮南市(田家庵区、凤台县、潘集区、谢家集区、八公山区、大通区、寿县)  漳州市(南靖县、长泰区、华安县、龙海区、诏安县、东山县、云霄县、漳浦县、龙文区、平和县、芗城区)

襄阳市(枣阳市、老河口市、襄州区、南漳县、樊城区、宜城市、保康县、襄城区、谷城县)

塔城地区(塔城市、额敏县、裕民县、托里县、乌苏市、和布克赛尔蒙古自治县、沙湾市)

十堰市(房县、竹溪县、竹山县、郧阳区、张湾区、茅箭区、郧西县、丹江口市)株洲市(天元区、炎陵县、荷塘区、攸县、渌口区、石峰区、芦淞区、茶陵县、醴陵市)

北海市(银海区、铁山港区、海城区、合浦县)  新余市(分宜县、渝水区)

台州市(椒江区、临海市、天台县、路桥区、黄岩区、温岭市、仙居县、玉环市、三门县)

来宾市(武宣县、象州县、兴宾区、金秀瑶族自治县、合山市、忻城县)

丽江市(宁蒗彝族自治县、古城区、永胜县、华坪县、玉龙纳西族自治县)濮阳市(清丰县、台前县、范县、濮阳县、南乐县、华龙区)

信阳市(罗山县、光山县、新县、淮滨县、浉河区、息县、固始县、平桥区、潢川县、商城县)

武汉市(汉南区、江夏区、硚口区、洪山区、蔡甸区、武昌区、黄陂区、新洲区、青山区、东西湖区、江岸区、汉阳区、江汉区)

池州市(青阳县、东至县、石台县、贵池区)

常州市(武进区、钟楼区、溧阳市、新北区、天宁区、金坛区)

孝感市(孝南区、汉川市、云梦县、应城市、安陆市、大悟县、孝昌县)

临沧市(双江拉祜族佤族布朗族傣族自治县、临翔区、沧源佤族自治县、云县、镇康县、凤庆县、永德县、耿马傣族佤族自治县)

甘孜藏族自治州(得荣县、甘孜县、理塘县、石渠县、乡城县、白玉县、新龙县、泸定县、巴塘县、德格县、雅江县、道孚县、九龙县、炉霍县、丹巴县、康定市、稻城县、色达县)

邵阳市(新邵县、绥宁县、隆回县、洞口县、双清区、新宁县、大祥区、北塔区、邵阳县、武冈市、城步苗族自治县、邵东市)

洛阳市(老城区、伊川县、西工区、栾川县、嵩县、宜阳县、洛宁县、偃师区、涧西区、洛龙区、瀍河回族区、孟津区、新安县、汝阳县)

乌兰察布市(四子王旗、凉城县、化德县、察哈尔右翼后旗、察哈尔右翼前旗、兴和县、集宁区、察哈尔右翼中旗、丰镇市、卓资县、商都县)

临汾市(安泽县、襄汾县、翼城县、曲沃县、侯马市、吉县、汾西县、古县、大宁县、蒲县、浮山县、尧都区、洪洞县、隰县、永和县、霍州市、乡宁县)

焦作市(温县、马村区、武陟县、沁阳市、孟州市、山阳区、中站区、博爱县、解放区、修武县)

哈密市(伊吾县、伊州区、巴里坤哈萨克自治县)

七台河市(勃利县、新兴区、茄子河区、桃山区)

西宁市(大通回族土族自治县、城西区、湟源县、湟中区、城北区、城东区、城中区)

黑河市(北安市、嫩江市、逊克县、爱辉区、五大连池市、孙吴县)

中国半导体设备产业动态频频，以中微公司和北方华创为代表的国内龙头企业纷纷展现强劲的增长势头和战略布局。中微公司通过大幅增资强化技术研发和市场拓展，巩固其在刻蚀设备领域的领先地位；北方华创则通过对外投资和股权收购，积极拓展业务版图，并在业绩上实现显著增长。

众所周知，中国正在加紧推进半导体的国产化进程，其中设备作为半导体产业的基石，其国产化水平决定着整个半导体产业链的自主可控程度。近期有预测称，到2025年中国大陆半导体设备整体国产化率有望达到50%，该消息引起了行业一众关注。究竟真实进展如何？

中微公司增资至40亿，增幅300%

4月21日，企查查显示，中微半导体（上海）有限公司宣布注册资本由10亿元人民币增至40亿元人民币，增幅达300%。通过增资，中微公司将进一步增强资金实力，加速技术研发和市场拓展，提升在全球半导体设备市场的竞争力。

中微公司2024年财报显示，公司实现营业收入90.65亿元，同比增长44.7%，其中刻蚀设备贡献超72亿元，同比增长54.7%，稳居国产刻蚀设备龙头。尽管净利润约16.16亿元，同比下滑9.5%，但扣非净利润约13.88亿元，同比增长16.5%。这一下滑主要受研发投入激增影响，2024年研发费用达24.5亿元，同比增长94.3%。公司创始人尹志尧表示，2024年人均销售超过400万元，达到设备产业国际先进水平。

从出货设备来看，刻蚀领域，该公司的CCP刻蚀设备2024年生产付运超过1200反应台，创历史新高，累计装机量超过4000反应台；薄膜沉积设备领域，LPCVD设备累计出货量已突破150个反应台，2024年获得约4.76亿元批量订单，ALD（原子层沉积）设备和其他关键薄膜沉积设备研发项目正在顺利推进，EPI（外延）设备已顺利进入客户端量产验证阶段。

量测设备领域，中微公司控股子公司超微半导体设备（上海）有限公司拟增资至1.6亿元，中微公司持股比例将降至47.2%，但仍保持控制权。据悉，超微公司重点开发电子束量检测设备，该设备是芯片制造和先进封装工艺中的关键设备，对我国发展新质生产力至关重要。

今年1月，中微公司计划在成都市高新区投资设立全资子公司中微半导体设备（成都）有限公司，建设研发及生产基地暨西南总部项目。项目总投资约30.5亿元，主要用于研发薄膜设备。该公司将作为中微公司的西南总部，建设包括研发中心、生产基地和配套设施，预计2025年开工，2027年投入生产。

北方华创：拟向全资子公司增资4亿元，并参与北京电控增资

4月18日，北方华创公告，公司拟以全资子公司北方华创创新投资(北京)有限公司作为出资平台，与北京电子控股有限责任公司（以下简称“北京电控”）各出资4亿元人民币，以非公开协议方式向北京电控控股子公司北京电控产业投资有限公司增资。

据悉，电控产投将主要通过基金和股权投资方式，围绕集成电路、人工智能、物联网等应用领域，投资布局发展潜力大、技术或产品好的标的企业。此次增资总额为8亿元，其中北方华创出资4亿元，北京电控出资4亿元。增资完成后，电控产投注册资本将增至18.57亿元，北方华创持股比例为17.6847%。

资料显示，电控产投成立于2008年10月30日，注册资本12亿元，股权结构上，北京电控持有50%的股权、京东方持有33.3%股权、电子城持有16.7%股权。

值得注意的是，当前北方华创持续扩大业务布局。今年3月31日，北方华创公告，受让沈阳中科天盛自动化技术有限公司（下称“中科天盛”）持有的芯源微股份1690万股，占芯源微总股本的8.41%。更早前的3月10日，北方华创与沈阳先进制造技术产业有限公司（下称“先进制造”）签署了股份转让协议，北方华创拟受让先进制造持有的芯源微9.49%股份，合计1906.49万股，交易金额为16.87亿元。

受益于半导体行业回暖，北方华创业绩亮眼。2024年，北方华创实现营业收入298.38亿元，同比增长35.14%；归属于上市公司股东的净利润为56.21亿元，同比增长44.17%。该公司还发布了2025年一季度业绩预告显示，预计实现营收73.4亿元至89.8亿元，同比增长23.35%-50.91%；预计实现归母净利润14.2亿元至17.4亿元，同比增长24.69%-52.79%。

北方华创表示，2024年公司深耕半导体基础产品领域，经营业绩稳定增长。公司集成电路装备领域多款新产品取得突破，工艺覆盖度及市场占有率显著增长，产品销量同比大幅度增加。今年一季度，公司集成电路装备领域电容耦合等离子体刻蚀设备（CCP）、原子层沉积设备（ALD）、高端单片清洗机等多款新产品实现关键技术突破，工艺覆盖度显著增长，同时多款成熟产品市场占有率稳步提升。凭借优良的产品、技术和服务优势，公司市场份额持续扩大，营业收入同比提升。

中国半导体设备国产化进程飙升

据SEMI数据，中国作为全球最大的半导体消费市场，强劲的市场需求为半导体设备产业的发展提供了强大动力。近年来，国内半导体设备企业在技术突破和国产替代方面持续发力并取得显著进展。以北方华创、中微公司、盛美上海等为代表的设备公司，在技术研发和市场拓展上成果斐然，逐步成为市场竞争中的重要力量。截至2024年，中国半导体设备国产化率提升至13.6%，在刻蚀、清洗、去胶和CMP设备市场，国产化率已突破双位数。尽管光刻设备与国际先进水平仍存在差距，但也取得了部分突破。

全球前五大半导体设备厂商均专注于前道设备应用，分别是应用材料、ASML、东京电子、Lam Research和科磊（KLA）。其中，应用材料、东京电子、泛林半导体是平台型企业，业务横跨刻蚀、薄膜、清洗、离子注入等多个领域，而ASML和KLA属于细分领域龙头。从行业发展趋势来看，向平台型企业发展是进入全球设备第一梯队的关键路径。

由上表可知，在中国大陆，我国目前在发展平台型设备厂商方面卓有成效的主要有北方华创、中微公司、盛美上海和万业企业，而在各细分领域也出现了诸如拓荆科技、芯源微、华海清科、长川科技（维权）、精测电子、中科飞测等代表性企业。

我国设备平台型企业发展情况各有不同，北方华创发展较早，已形成规模，是国内唯一成型的平台型设备企业；中微公司和盛美上海处于加速成长阶段，具备一定规模；万业企业虽处于发展初期，但明确朝着“平台型”企业的目标迈进。从企业发展体量来看，自2022年起，设备行业诞生了北方华创和晶盛机电两个百亿设备巨头。

据全球半导体观察综合中国半导体产业协会、企业财报、半导体行业咨询公司等行业各方消息可知，我国在去胶、清洗、刻蚀设备方面国产化率较高；在CMP、热处理、薄膜沉积领域，近几年国产化取得明显突破；然而在量测、涂胶显影、光刻、离子注入等设备领域，仍较为薄弱。

去胶设备领域来看，中国半导体国产化率在2023-2024年显著提升，尤其在成熟制程（28nm及以上，下同）和中低端市场已实现较高替代率。综合行业多方数据显示，在中低端市场，国产化率约75%-90%，主要覆盖成熟制程、功率半导体、先进封装等领域；而在高端市场上，在先进逻辑芯片（14nm以下，下同）和高端存储芯片（3DNAND/DRAM）中，国产化率仍低于30%，这部分主要依赖东京电子、LamResearch等国际厂商。目前，我国在去胶设备领域的代表企业主要有屹唐半导体、浙江宇谦、上海稷以、北方华创、盛美上海等，总体来看国产设备在“去胶+清洗”集成设备中占优。

清洗设备领域，我国国产化率已不断提高至50-60%，代表企业主要有北方华创、盛美上海、至纯科技、芯源微、屹唐半导体等。

在刻蚀设备领域，我国在成熟制程国产化率约为50%-60%，主要应用于逻辑芯片、功率半导体和存储芯片（如3DNAND）；而在先进制程，国产化率不足15%，高端市场被Lam Research、东京电子、应用材料等垄断。在该领域我国主要代表企业有中微公司、北方华创、嘉芯半导体、屹唐半导体等，另外拓荆科技、盛美上海、芯源微虽然没有专门推出转有的刻蚀设备，但其部分领域设备均有涉及刻蚀工艺。

在热处理设备领域，我国国产化率约为30%-40%，主要代表企业有北方华创、晶盛机电、中微公司、拓荆科技、嘉芯半导体等，另外华海清科、拓荆科技、芯源微部分领域设备均有涉及热处理工艺，占据一定市场份额。

PVD设备领域则是北方华创、捷佳伟创、嘉芯半导体、中电科、科睿设备有限公司、中科院沈阳科学仪器、合肥科晶材料、晶盛机电、中微公司、盛美上海、拓荆科技。该领域设备国产化率还处于较低水平，约为15%-20%，其中在先进制程领域，国产化率仅为10%左右，主要依赖进口。

半导体CMP设备领域，我国在成熟制程国产化率约15%-25%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等领域；而在先进制程上国产化率不足10%，高端市场由应用材料、荏原制作所等垄断。我国在该领域上的代表企业主要有盛美上海、华海清科、中国电科、鼎龙控股、烁科精微等。

涂胶显影设备是光刻工艺的核心设备之一，主要用于晶圆的光刻胶涂覆、显影等步骤。在该领域，我国国产化率约为10%-15%（主要集中在封装和成熟制程），前道设备国产化率不足10%。行业消息显示，涂胶显影设备的主要挑战在于设备稳定性、工艺精度（如均匀性控制）、与光刻机的协同适配方面。我国涂胶显影设备主要代表企业则是盛美上海、芯源微、北方华创、中微公司、华峰测控等。

在离子注入设备领域，我国在成熟制程上的国产化率约10%-20%，主要应用于功率半导体、MEMS传感器等非先进逻辑芯片领域；而在先进制程国产化率不足5%，市场由应用材料、Axcelis、日立国际电气主导。目前，国产设备在中高能量（>200keV）和超低能量（<1keV）离子注入领域仍落后，束流均匀性（±3%vs国际±1%）和稳定性待提升。而在晶圆尺寸适配上，12英寸设备成熟度低，8英寸设备逐步替代进口。此外在相关重要配件上如离子源、质量分析器等长期依赖进口。该领域我国主要代表企业为凯世通、中国电科、烁科中信科、北方华创、中微公司等。

半导体量测设备包括晶圆缺陷检测、关键尺寸测量（CD-SEM）、膜厚测量（椭偏仪）、套刻精度测量等，技术门槛极高。该领域整体国产化率约为10%-15%，我国主要在中低端设备和部分细分领域取得突破，其中前道高端设备（如EUV相关检测）国产化率不足5%。目前该领域的主要发展瓶颈在于核心光学部件（如高精度激光器）、算法软件（缺陷分类与数据分析）依赖进口，设备稳定性与海外巨头存在差距。在量测领域我国主要代表企业为上海微电子、中科飞测、精测电子、华海清科、北方华创等。

在半导体光刻设备前道制造（EUV/ArF浸没式）领域，国产化率约为0%-1％。而在成熟制程光刻机（KrF/i-line，90nm及以上），国产化率约10%-15%，主要用于功率半导体、MEMS、分立器件等领域。而在封装光刻机（后道先进封装），在上海微电子主导下，国产化率不断提升。在该领域我国的主要代表企业有上海微电子、中国电科、北方华创等。据悉，上海微电子计划推出支持55nm制程的KrF光刻机，并推进28nm光刻机量产验证。